| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Verwaltung eines Flashspeichers, in dem Verwaltungs- und Nutzdaten gespeichert sind und die Nutzdaten von einem Host ?ber logische Sektoren (S1 - Sd) adressiert werden, und der Flashspeicher Multi-Level-Zellen besitzt, die zwei oder mehr Bits pro Zelle speichern, wobei der Flashspeicher in eine Vielzahl von separat löschbaren physikalischen Blöcken (B1- Bn) gegliedert ist und die physikalischen Blöcke in einzeln beschreibbare Pages (P1 - Pm) fur eine Mehrzahl von Sektoren gegliedert sind, und die Pages auf mindestens zwei Ebenen (E1, E2) mit unterschiedlichen Schreibgeschwindigkeiten aufgeteilt sind, wovon eine erste Ebene (E1) sich durch eine hohe Schreibgeschwindigkeit auszeichnet, wobei Daten zur Verwaltung des Flashspeichers nur in der ersten Ebene (E1) des Flashspeichers gespeichert werden und zu schreibende Sektoren für Teile einer Page in einem Zwischenspeicher (AP, AP2) in der ersten Ebene (E1) zwischengespeichert werden, bis eine komplette Page beschrieben werden kann. Wenn Nutzdaten schnell geschrieben werden sollen, können auch diese unter ausschließlicher Ausnutzung der Ebene E1 geschrieben werden.</p> |
