| 发明名称 | 一种双向制冷式半导体激光器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种双向制冷式半导体激光器，该激光器包括正极片、芯片、焊熘突起及负极片。所述正极片与芯片正极焊接；所述负极铜支撑块的一面设有焊熘突起；所述芯片的负极贴在焊熘突起上。本实用新型采用双面散热结构，芯片正负极均连接有散热块，芯片通过焊熘突起与负极片连接，因此散热能力大大增强的同时热应力降级，这种增加了散热能力的结构，可显著提高激光输出的功率而不用担心热应力的问题。本实用新型主要应用于大功率半导体激光器，功率十几瓦到几十瓦。 | ||
| 申请公布号 | CN201898279U | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201020663800.9 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 刘兴胜 | 发明人 | 刘兴胜 |
| 分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人 | 罗永娟 |
| 主权项 | 一种双向制冷式半导体激光器，其特征在于：包括正极片(1)、负极片(4)以及夹在正极片(1)和负极片(4)之间的芯片(2)，所述芯片(2)与正极片(1)或负极片(4)之间设有一层热应力消减层。 | ||
| 地址 | 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号 | ||