| 发明名称 | 一种石墨炔纳米线及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种石墨炔纳米线及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：将盛放有石墨炔粉末的容器和表面生长有氧化锌纳米棒阵列的基底置于管式反应器中，所述容器和基底之间设有间距，将所述管式反应器加热至485℃-515℃，并向所述管式反应器中通入氩气进行反应即得所述石墨炔纳米线。本发明使用气相沉积法制备了纳米级别的石墨炔纳米线，并检测了纳米线的电导率。实验结果发现石墨炔纳米线的电导率为1900S/m，比溶液法制备的石墨炔薄膜的电导率高7个数量级，本发明提供的石墨炔纳米线可以在纳米材料领域得到广泛的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102120571A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201110075145.4 | 申请日期 | 2011.03.28 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 李玉良;刘辉彪;李勇军;钱学旻 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;C01B31/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种石墨炔纳米线的制备方法，包括如下步骤：将盛放有石墨炔粉末的容器和表面生长有氧化锌纳米棒阵列的基底置于管式反应器中，所述容器和基底之间设有间距，将所述管式反应器加热至485℃‑515℃，并向所述管式反应器中通入惰性气体进行反应即得所述石墨炔纳米线。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一街2号 | ||