| 发明名称 | 双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法。所述双极互补金属氧化半导体器件包括横向扩散金属氧化物半导体器件和双极晶体管器件，所述双极晶体管器件包括用于形成集电极的导电型阱，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括衬底和形成于所述衬底内的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度与所述导电型阱同时形成，掺杂浓度一致。本发明的双极互补金属氧化半导体器件降低了集成成本，使得形成射频的系统级芯片成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN102122659A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201110009216.0 | 申请日期 | 2011.01.17 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孙涛 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种双极互补金属氧化半导体器件，其特征在于：包括横向扩散金属氧化物半导体器件和双极晶体管器件，所述双极晶体管器件包括用于形成集电极的导电型阱，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括衬底和形成于所述衬底内的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度与所述导电型阱同时形成，其掺杂浓度一致。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||