通过采用平面离子流探测装置获得的参数控制等离子工艺

摘要

揭示了用平面离子流(PIF)探测装置探测和/或获取参数(如该等离子体势和该离子通量)的绝对值和/或相对变化的方法和装置。接着用该探测和/或获取的值控制该等离子处理工艺。

主权项

一种用于控制基板处理工艺的方法，所述基板处理工艺配置为用基板处理室内的等离子处理基板，包括：提供PIF(平面离子流)测量装置，所述PIF测量装置包括至少一个PIF探针，其具有当用所述等离子处理所述基板时，暴露于所述等离子的等离子外壳的表面；用配置为通过所述PIF探针提供能量至所述等离子的能量源，交替产生所述PIF装置的充电阶段及静态阶段；确定时间tpoint 2，所述时间tpoint 2代表所述PIF测量装置的所述充电阶段的时间，其中跨越所述等离子外壳的第一势差等于所述等离子的等离子体势；确定时间tpoint 3a，所述时间tpoint 3a代表所述PIF测量装置的所述充电阶段的时间，其中跨越所述等离子外壳的第二势差等于浮置电势，所述浮置电势代表当没有电流流经所述PIF探针时，在所述充电阶段跨越所述等离子外壳的势差值；以及如果所述时间tpoint 2与所述时间tpoint 3a之间的时间差满足预定条件，产生控制信号以在所述基板处理工艺中产生至少一个警报及转变。