发明名称 |
操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件 |
摘要 |
提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法,该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体,可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲,以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外,至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠,以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。 |
申请公布号 |
CN1747060B |
申请公布日期 |
2011.07.13 |
申请号 |
CN200510091996.2 |
申请日期 |
2005.08.12 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
郑元哲;金奇南;郑弘植;郑基泰;朴哉炫 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
林宇清;谢丽娜 |
主权项 |
一种操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法,该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构,该方法包括:通过磁隧道结结构提供写电流脉冲;以及通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲,其中至少部分写磁场脉冲相对于至少部分写电流脉冲及时重叠,以及其中至少部分写电流脉冲和至少部分写磁场脉冲彼此不及时重叠。 |
地址 |
韩国京畿道 |