发明名称 |
具有图案的衬底及其制造方法,和半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提一种具有图案的衬底的制造方法,该方法能够控制邻近薄膜图案之间的距离,还提供了具有窄宽度和厚度的图案的衬底的制造方法,该方法能够控制薄膜图案之间的宽度。本发明提供了一种具有用作具有在电感方面变化较小并具有大电动势的天线的导电膜的衬底的制造方法,以及提供一种具有高产量的半导体器件的制造方法。在衬底、绝缘膜、或导电膜上方形成其中硅与氧结合并且非活性基团与硅结合的薄膜之后,在其上通过印刷法印刷组合物,并烘烤以形成薄膜图案。 |
申请公布号 |
CN1832151B |
申请公布日期 |
2011.07.13 |
申请号 |
CN200610004003.8 |
申请日期 |
2006.01.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
青木智幸;大力浩二 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
韦欣华;邹雪梅 |
主权项 |
一种具有薄膜图案的衬底的制造方法,包括:在衬底上形成其中硅和氧结合并且非活性基团与硅结合的薄膜;通过丝网印刷法,通过将组合物通过网格挤出,在薄膜上印刷组合物;以及烘烤挤出的组合物从而形成厚度为5至40μm的薄膜图案。 |
地址 |
日本神奈川县 |