一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜及其制备方法

摘要

一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层氮化铝薄膜构成，所述氮化铝薄膜是厚度为0.6-0.7µm的纳米薄膜；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室，首先对金刚石衬底表面进行等离子体清洗，然后采用磁控溅射工艺在金刚石衬底表面沉积一层氮化铝薄膜。本发明的优点是：提供了一种用于高性能声表面波（SAW）器件的AlN压电薄膜，用其制备的SAW器件频率高（≥2.5GHz），且可以承受大功率（≥37dBm），可以满足高频率和/或大功率移动通信的要求；本发明提供的压电薄膜的制备方法，其工艺条件方便易行，有利于大规模推广应用，具有重大的生产实践意义。

主权项

一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜，其特征在于：由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层氮化铝薄膜构成，所述氮化铝薄膜是厚度为0.6‑0.7µm的纳米薄膜。