| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效应管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：在衬底中形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成侧墙；在侧墙包围的第一沟槽中外延生长导电层；对所述衬底接连进行轻掺杂注入及源/漏注入，形成源/漏区；去除所述侧墙形成第二沟槽；在所述衬底表面及所述第二沟槽中形成栅介电层；在所述栅氧化层上形成栅极。所述金属氧化物半导体场效应管的制造方法可有效抑制短沟道效应，获得更好的器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102122617A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201010022582.5 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李奉载 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在衬底中形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成侧墙；在侧墙包围的第一沟槽中外延生长导电层；对所述衬底接连进行轻掺杂注入及源/漏注入，形成源/漏区；去除所述侧墙形成第二沟槽；在所述衬底表面及所述第二沟槽中形成栅介电层；在所述栅介电层上形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||