EUV光刻用反射型掩模底板及其制造方法

摘要

本发明提供在实施EUV光刻时抑制了来自掩模图案区域的外周部的吸收膜表面的EUV反射光的影响的EUV掩模、用于制造该EUV掩模的EUV掩模底板以及该EUV掩模底板的制造方法。一种EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法，其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜并形成反射EUV光的多层反射膜，在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜，其特征在于，在形成上述多层反射膜后，通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。

主权项

一种EUVL用反射型掩模底板的制造方法，是EUV光刻(EUVL)用反射型掩模底板的制造方法，其在基板上至少交替层叠高折射率膜和低折射率膜，形成反射EUV光的多层反射膜，在该多层反射膜上形成吸收EUV光的吸收膜，其特征在于，在该EUVL用反射型掩模底板的制造方法中，在形成上述多层反射膜后，通过对上述多层反射膜表面中的、比在使用EUVL用反射型掩模底板制作的EUV光刻用反射型掩模上成为掩模图案区域的部位靠外侧的部位加热，使上述多层反射膜表面中的被加热的部位的EUV光的反射率降低。