发明名称 |
功率型发光二极管热沉及其方法 |
摘要 |
本发明涉及光电子技术领域,提供了一种功率型发光二极管热沉,其包括一常温金属基底、金属电极层以及一位于该两膜层之间的常温原化生长而成的金属氧化陶瓷膜层。该热沉导热性好、连接强度高且成本低。本发明还提供了一种在常规温度下制造该种节约能源、成本较低且导热性能好、连接强度高的新的功率型发光二极管热沉的制造方法。 |
申请公布号 |
CN101005108B |
申请公布日期 |
2011.07.13 |
申请号 |
CN200610033054.3 |
申请日期 |
2006.01.16 |
申请人 |
深圳大学;何青瓦 |
发明人 |
柴广跃;郭宝平;冯玉春;何青瓦;李华平 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种功率型发光二极管热沉,其特征在于包括一金属基底、双金属电极层以及一位于该两膜层之间的常温原位生长而成的金属氧化陶瓷膜层,其中,该金属电极层包括底层过渡金属及其上面的表层金属,该底层过渡金属为镍或铬,该表层金属为金,且该底层过渡金属的厚度为50nm时,该表层金属的厚度为20nm,该底层过渡金属的厚度为20nm时,该表层金属的厚度为100nm。 |
地址 |
518060 广东省深圳市南山区南油大道2336号 |