| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基底，该半导体基底包含第一区及第二区；形成第一MOS元件，包括：于该半导体基底的该第一区上形成第一硅锗材料层；于该第一硅锗材料层上形成硅材料层；于该硅材料层上形成第一栅极介电层；以及图案化该第一栅极介电层以形成第一栅极介电结构。该方法还包括形成第二MOS元件，包括：于半导体基底的第二区上形成第二硅锗材料层；于第二硅锗材料层上形成第二栅极介电层，第二MOS元件中的第二硅锗材料层及第二栅极介电层之间不具有大体上的纯硅材料层；及图案化第二栅极介电层以形成第二栅极介电结构。本发明能增进NMOS元件的驱动电流并降低PMOS元件的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101527280B | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN200810135683.6 | 申请日期 | 2008.07.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈鼎元;余振华 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：提供半导体基底，该半导体基底包含第一区及第二区；形成第一MOS元件，包括：于该半导体基底的该第一区上形成第一硅锗材料层；于该第一硅锗材料层上形成硅材料层；于该硅材料层上形成第一栅极介电层；以及图案化该第一栅极介电层以形成第一栅极介电结构；以及形成第二MOS元件，包括：于该半导体基底的该第二区上形成第二硅锗材料层；于该第二硅锗材料层上形成第二栅极介电层，其中该第二MOS元件中的该第二硅锗材料层及该第二栅极介电层之间并不具有大体上的纯硅材料层；以及图案化该第二栅极介电层以形成第二栅极介电结构，其中该第一栅极介电层包含镧元素，该第二栅极介电层包含铝元素，且该第一MOS元件是NMOS，该第二MOS元件是PMOS。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||