| 发明名称 | 预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及微电子器件领域，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，谐振器电极近似椭圆形；所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构；由于采用预设的空腔结构，本发明无牺牲层，无需国外专利及其产品中处理牺牲层采用的化学机械抛光工艺和牺牲层释放工艺，同时本发明综合了SOI材料所具有的源、漏寄生电容小和低电压低功耗等优点，本发明能与IC兼容，易于集成，工艺简单，适合批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102122940A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201110051215.2 | 申请日期 | 2011.03.03 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 发明人 | 杨增涛;马晋毅;冷俊林;赵建华;杨正兵;江洪敏;傅金桥;张龙;周益民 |
| 分类号 | H03H9/54(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/54(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人 | 赵荣之 |
| 主权项 | 预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括预设空腔型(4)的SOI基片和设置在SOI基片上的换能器，所述换能器包括底电极(5)、顶电极(7)和设置在底电极(5)与顶电极(7)之间的压电薄膜(6)，所述底电极(5)与SOI基片相结合，所述底电极(5)、顶电极(7)和压电薄膜(6)的叠加区域与预设空腔(4)相对。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||