| 发明名称 | 半导体光转换构造 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体光转换构造。所述半导体光转换构造包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分。第一半导体层在第二波长下具有最大第一折射率。第二半导体层在第二波长下具有大于最大第一折射率的第二折射率。 | ||
| 申请公布号 | CN102124582A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN200980132156.2 | 申请日期 | 2009.06.01 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 迈克尔·A·哈斯;张俊颖;托马斯·J·米勒 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 一种半导体光转换构造，包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分，所述第一半导体层在所述第二波长下具有最大第一折射率，所述第二半导体层在所述第二波长下具有大于所述最大第一折射率的第二折射率。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||