| 发明名称 | 半导体元件的分析方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体元件的分析方法，此方法包括提供半导体元件，且半导体元件上具有异常区域。接着，对异常区域进行聚焦式离子束显微镜分析程序，其中聚焦式离子束分析程序的结果显示异常区域具有缺陷。在聚焦式离子束分析程序之后，对异常区域进行电性检测步骤，以判断异常区域中的缺陷是否为元件真正失效缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102122625A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201010002083.X | 申请日期 | 2010.01.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张志忠;林建璋;吴文生;张清林;蔡智仰 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种半导体元件的分析方法，包括：提供半导体元件，该半导体元件上具有异常区域；对该异常区域进行聚焦式离子束显微镜分析程序，其中该聚焦式离子束分析程序的结果显示该异常区域具有缺陷；以及在该聚焦式离子束显微镜分析程序之后，对该异常区域进行电性检测步骤，以判断该异常区域中的缺陷是否为元件真正失效缺陷。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||