半导体装置

摘要

半导体装置1包括基板3、安装在基板3上的半导体芯片4、连接基板3和半导体芯片4的凸块5和填充凸块5周围的底填料6。当凸块5是熔点为230℃或以上的高熔点焊料时，底填料6是弹性模量为30MPa～3000MPa的树脂材料。当凸块5是无铅焊料时，底填料6是弹性模量为150MPa～800MPa的树脂材料。在25℃～玻璃转化温度之间，装配层31的绝缘层311在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下。

主权项

半导体装置，其包括：基板，安装在基板上的半导体元件，连接基板和半导体元件的凸块，和填充凸块周围的底填料，其中，凸块包括熔点为230℃或以上的高熔点焊料，底填料包括125℃时弹性模量30MPa～510MPa的树脂材料，基板具有含树脂绝缘层与导电互联层交替层压的装配层，每个导电互联层通过绝缘层中的通孔内形成的导电层连接，且在25℃至玻璃转化温度之间，装配层的绝缘层在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下，其中在25℃至玻璃转化温度之间，底填料与凸块之间的线性膨胀系数差为10ppm/℃或以下。