发明名称 制造磁记录介质的方法以及磁记录和读取装置
摘要 本发明旨在提供一种制造磁记录介质的方法,其是一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法,所述方法包括:在非磁性基底上形成磁性层;然后将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子,以使所述磁性层的该部分非晶化。
申请公布号 CN101681629B 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200880019557.2 申请日期 2008.06.17
申请人 昭和电工株式会社 发明人 福岛正人;坂胁彰;佐佐木保正
分类号 G11B5/84(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I 主分类号 G11B5/84(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种制造磁记录介质的方法,所述磁记录介质具有磁性分离的磁记录图形,所述方法包括以下步骤:在非磁性基底之上形成磁性层;以及然后,将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子,以使所述磁性层的该部分非晶化且使所述部分的磁特性改性,由此形成磁性分离的磁记录图形,其中在使所述磁特性改性时,所述磁性层的暴露到反应性等离子体的所述部分的磁化强度量值被调整到其初始磁化强度量值的75%或更小;在使所述磁特性改性时,所述磁性层的暴露到反应性等离子体的所述部分的矫顽力被调整到其初始矫顽力的50%或更小;所述反应性等离子体为包括通过引入氧气而产生的氧离子的等离子体;且所述反应性等离子体还包括氧原子,并且通过在所述反应性等离子体中包括的氧原子促进对所述磁性层的所述部分的非晶化。
地址 日本东京都