半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括硅衬底、应变诱导层、硅层、FET和隔离区。在硅衬底上，提供应变诱导层。在应变诱导层上，提供硅层。应变诱导层在硅层中的FET的沟道区中引起晶格应变。该硅层包括FET。FET包括源/漏区、SD延伸区、栅电极和侧壁。源/漏区和应变诱导层彼此隔开。在FET周围，提供了隔离区。隔离区穿透硅层从而到达应变诱导层。

主权项

一种制造包括场效应晶体管的半导体器件的方法，包括：在硅衬底上形成隔离区使其围绕将要形成所述场效应晶体管的区域；在其上形成有所述隔离区的所述硅衬底上外延生长应变诱导层；在所述应变诱导层上外延生长硅层；和在所述硅层中形成所述场效应晶体管，使得源/漏区与所述应变诱导层隔开；其中所述应变诱导层在所述硅层中的所述场效应晶体管的沟道部分中引起应变，并且其中所述隔离区的所述形成包括在所述硅衬底的表面层中形成所述隔离区，然后从所述表面层一侧减小所述硅衬底的厚度从而使所述硅衬底相对于所述隔离区凹进。