发明名称 像素结构
摘要 本发明公开了一种像素结构,其适于通过一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线与一数据线所控制。此像素结构包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第一像素电极、一第二像素电极与多个配向构件,其中第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均电性连接至扫描线与数据线。第一薄膜晶体管具有一第一漏极,且第一像素电极电性连接至第一漏极。第二薄膜晶体管具有一第二漏极,且第二像素电极浮置于第二漏极的上方,以形成一耦合电容,且第二像素电极与第一像素电极之间具有一电压差。配向构件配置于第一像素电极与第二像素电极上。
申请公布号 CN101169531B 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200610142530.5 申请日期 2006.10.23
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 戴孟杰;柳智忠;张月泙
分类号 G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1337(2006.01)I 主分类号 G02F1/133(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈亮
主权项 一种像素结构,适于通过一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线与一数据线所控制,该像素结构包括:一第一薄膜晶体管,电性连接至该扫描线与该数据线,且该第一薄膜晶体管具有一第一漏极;一第二薄膜晶体管,电性连接至该扫描线与该数据线,且该第二薄膜晶体管具有一第二漏极;一第一像素电极,电性连接至该第一漏极;一第二像素电极,浮置于该第二漏极上方,且第一像素电极的电压与浮置的该第二像素电极的电压是分别透过不同的薄膜晶体管控制的,该第二像素电极与该第二漏极之间形成一耦合电容,且该第二像素电极与该第一像素电极之间具有一电压差;以及多个配向构件,配置于该第一像素电极与该第二像素电极上,其中,在该第二漏极对应于该些配向构件的区域配置有狭缝。
地址 中国台湾台北市中山北路三段二十二号