发明名称 半导体发光器件及其制造方法
摘要 本发明的一个实施例涉及一种半导体发光器件及其制造方法。根据该实施例的半导体发光器件包括:第二电极层;发光结构,该发光结构位于所述第二电极层下方并包括多个化合物半导体层;至少一个划分凹槽,该至少一个划分凹槽将所述发光结构的下部各层的内侧区域划分为多个区域;以及第一电极,该第一电极位于所述发光结构下方。
申请公布号 CN102124579A 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200980131779.8 申请日期 2009.08.04
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 丁焕熙
分类号 H01L33/36(2006.01)I 主分类号 H01L33/36(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 夏凯;谢丽娜
主权项 一种半导体发光器件,包括:第二电极层;发光结构,所述发光结构位于所述第二电极层下方,包括多个化合物半导体层;至少一个划分凹槽,所述至少一个划分凹槽将所述发光结构的下部各层的内侧区域划分为多个区域;以及第一电极,所述第一电极位于所述发光结构下方。
地址 韩国首尔