| 发明名称 | 自对准金属硅化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，其中自对准金属硅化物的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；采用等离子体处理所述半导体基底边缘区域；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明能够减低颗粒污染，提高自对准金属硅化物的形成质量和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102122613A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201010022567.0 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐友锋;宁超;保罗 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；采用等离子体处理所述半导体基底边缘区域；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||