发明名称 |
用于制备光致抗蚀剂图案的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法,该方法包括以下步骤(A)至(D):(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜,将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射,然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影,从而形成第一光致抗蚀剂图案;(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性,使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物;(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上,涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜,将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤,和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影,从而形成第二光致抗蚀剂图案。<img file="dest_path_dsb00000475795400011.GIF" wi="1742" he="377" /> |
申请公布号 |
CN102122114A |
申请公布日期 |
2011.07.13 |
申请号 |
CN201010623056.4 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
住友化学株式会社 |
发明人 |
畑光宏;夏政焕 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
柳春琦 |
主权项 |
1.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括以下步骤(A)至(D):(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜,将所述第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射,然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影,从而形成第一光致抗蚀剂图案的步骤,所述第一光致抗蚀剂组合物包含树脂、酸生成剂和交联剂,所述树脂包含在其侧链中具有酸不稳定基团的结构单元,(B)使所述第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性、使所述第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使所述第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物的步骤,(C)在步骤(B)中获得的所述第一光致抗蚀剂图案上,涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜,将所述第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤,所述第二光致抗蚀剂组合物包含:树脂,所述树脂包含在其侧链中具有酸不稳定基团的结构单元,和至少一种酸生成剂,所述至少一种酸生成剂选自由式(I)所示的光致酸生成剂和式(II)所示的光致酸生成剂组成的组:<img file="FSA00000413671700011.GIF" wi="661" he="238" />在式(I)中,R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>独立地表示C1-C12烷基或可以具有一个或多个取代基的C6-C18芳族烃基,R<sup>3</sup>表示C1-C12烷基,或者R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>彼此结合形成C3-C12二价无环烃基,所述二价无环烃基与S一起形成环,并且所述C3-C12二价无环烃基中的一个或多个-CH<sub>2</sub>-可以被-O-代替,并且A<sub>1</sub><sup>-</sup>表示有机阴离子,<img file="FSA00000413671700012.GIF" wi="934" he="245" />在式(II)中,R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>独立地表示C1-C12烷基、C3-C18饱和环状烃基或C6-C18芳族烃基,或者R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>彼此结合形成C3-C12二价无环烃基,所述二 价无环烃基与S一起形成环,并且所述C3-C12二价无环烃基中的一个或多个-CH<sub>2</sub>-可以被-O-代替,R<sup>6</sup>表示氢原子,R<sup>7</sup>表示C1-C12烷基、C3-C18饱和环状烃基或可以具有一个或多个取代基的C6-C18芳族烃基,或者R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>彼此连接形成C1-C10二价无环烃基,所述二价无环烃基与R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>所结合的-CHCO-一起形成2-氧代环烷基,并且A<sub>2</sub><sup>-</sup>表示有机阴离子,和(D)用碱性显影液将曝光的所述第二光致抗蚀剂膜显影,从而形成第二光致抗蚀剂图案的步骤。 |
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日本国东京都 |