| 发明名称 | 晶圆封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶圆封装方法，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。与现有技术相比，本发明请求保护的晶圆封装方法在晶圆的芯片单元之间先形成凹槽，并在凹槽内填充封料层。因此，在沿着凹槽切割晶圆时，凹槽内填充的封料层即可对晶圆提供有效保护。在切割步骤完成后，保护层仍能够为芯片单元的表面及四周提供保护。 | ||
| 申请公布号 | CN102122624A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201110034585.5 | 申请日期 | 2011.02.01 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 陶玉娟;石磊;杨国继 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 晶圆封装方法，其特征在于，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||