| 发明名称 | 过电流保护元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一过电流保护元件包含二金属箔片及一PTC材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。 | ||
| 申请公布号 | CN102122555A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201010002097.1 | 申请日期 | 2010.01.11 |
| 申请人 | 聚鼎科技股份有限公司 | 发明人 | 沙益安;罗国彰;朱复华 |
| 分类号 | H01C7/13(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 吴小瑛;吕俊清 |
| 主权项 | 一种过电流保护元件，其特征在于包含：二金属箔片；以及一PTC材料层，叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω‑cm，其包含：(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一种熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，其粒径大小介于0.1μm至15μm之间，体积电阻值小于500μΩ‑cm；及(iii)一非导电氮化金属填料；其中该导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||