发明名称 存储器装置及其形成方法
摘要 本发明揭示具有多个存储器单元的存储器装置,其中每一存储器单元包含具有其横向收缩的部分的相变材料。邻近存储器单元的所述横向收缩的部分垂直地偏移且定位于所述存储器装置的相对侧上。还揭示具有多个存储器单元的存储器装置,其中每一存储器单元包含具有不同宽度的第一及第二电极。邻近存储器单元具有在所述存储器装置的垂直相对侧上偏移的第一及第二电极。还揭示形成所述存储器装置的方法。
申请公布号 CN102124565A 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200980132373.1 申请日期 2009.08.18
申请人 美光科技公司 发明人 刘峻
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种存储器装置,其包括:多个存储器单元,每一存储器单元包括安置于底部电极与顶部电极之间的相变材料元件,其中每一存储器单元的所述相变材料元件包括其横向收缩的部分且其中邻近存储器单元的所述相变材料元件的所述横向收缩的部分定位于存储器装置的相对侧上。
地址 美国爱达荷州