发明名称 光发射装置及其制造方法
摘要 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法,其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法,其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管,覆盖薄膜晶体管的绝缘层,通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极,通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上,由与绝缘层不同的材料形成的层,和绝缘层。
申请公布号 CN101515571B 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200910132593.6 申请日期 2005.03.25
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 坂仓真之;高桥修平;池田佳寿子;二村智哉
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种用于制造光发射装置的方法,其包括以下步骤:在绝缘表面之上形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管之上形成绝缘层;在所述绝缘层之上形成与所述绝缘层材料不同的膜;形成在所述膜之上并电连接至所述薄膜晶体管的第一电极;形成在所述第一电极之上并电连接至所述第一电极的第二电极;通过使用所述第一电极和所述第二电极作为掩膜除去所述膜;以及在所述第二电极之上形成光发射层。
地址 日本神奈川