发明名称 | 半导体存储器件 | ||
摘要 | 一种半导体存储器件,能够不使用参考单元晶体管而以高速读取数据。该半导体存储器件包括检测单元和单位单元,检测单元包括第一交叉耦合的MOS晶体管,以检测和放大第一节点和第二节点之间的电压差;单位单元包括第二交叉耦合的单元MOS晶体管,以锁存数据,并将相应于被锁存的数据的第一信号和第二信号分别输出到第一节点和第二节点。 | ||
申请公布号 | CN101241763B | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
申请号 | CN200810005917.5 | 申请日期 | 2008.02.13 |
申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 辛昌熙;曹基锡 |
分类号 | G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李德山;李春晖 |
主权项 | 一种半导体存储器件,其包括:检测单元,其包括第一交叉耦合的MOS晶体管,以检测和放大第一节点和第二节点之间的电压差;单位单元,其包括第二交叉耦合的单元MOS晶体管,以锁存数据并将相应于被锁存的数据的第一信号和第二信号分别输出到第三节点和第四节点;以及设置在检测单元和单位单元之间的检测保护单元,以保护检测单元的第一交叉耦合的MOS晶体管并把施加到第三节点和第四节点的信号分别输出到第一节点和第二节点,其中第三节点耦合到第一偏置电压以及第四节点耦合到第二偏置电压,以便提供单位单元的操作偏置电平。 | ||
地址 | 韩国忠清北道清州市 |