一种具有发射极卷包结构的晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有发射极卷包结构的晶体硅太阳能电池制作方法，该方法选取预处理后的晶体硅片，先在第一温度梯度区间内进行磷浅扩散形成p-n+结，接着在硅片的两面镀膜，再对镀膜后硅片采用激光刻槽至将其贯穿，然后采用腐蚀液清洗并去除损伤层，接着在第二温度梯度区间内进行磷重扩散形成p-n++结，最后经一次丝网印刷正负银电极及后续常规工序处理后制备得具有发射极卷包结构的晶体硅太阳能电池。采用本发明方法制成的太阳电池在增加对光的吸收与载流子的收集、遏制衰减并降低对起始材料少子寿命的依赖程度以及大大简化电池片的组装与提高组件效率等方面发挥着独特的作用。

主权项

一种具有发射极卷包结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征是：选取晶体硅片，先在第一温度梯度区间内进行磷浅扩散形成p‑n+结，接着在硅片的两面镀膜，再对镀膜后硅片采用激光刻槽至将其贯穿，然后采用腐蚀液清洗并去除损伤层，接着在第二温度梯度区间内进行磷重扩散形成p‑n++结，最后经一次丝网印刷正负银电极及后续常规工序处理后制备得具有发射极卷包结构的晶体硅太阳能电池。