发明名称 半导体装置
摘要 提供一种半导体装置,在向负载(EL像素及信号线)供给电流的晶体管中,可以不受偏差的影响供给正确的电流。使用采用放大电路的反馈电路,调节晶体管的各端子的电压。通过从电流源电路向晶体管输入电流Idata,利用反馈电路设定晶体管流过电流Idata所必需的栅源间电压(源电位)。反馈电路,通过控制使晶体管的漏电位成为规定的电位而动作。从而设定电流Idata流动所必需的栅电压。于是,在使用设定的晶体管时,可以向负载(EL像素及信号线)供给正确的电流。另外,因为可以控制漏电位,所以可以减小纽结(欧力)效应的影响。
申请公布号 CN1802681B 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200480015745.X 申请日期 2004.05.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 木村肇
分类号 G09G3/30(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I 主分类号 G09G3/30(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 岳耀锋
主权项 一种半导体装置,其特征在于:具有利用晶体管来控制向负载供给的电流的电路,上述晶体管的源电极或漏电极与电流源电路相连接;具有在从上述电流源电路向上述晶体管供给电流时,控制上述晶体管的栅源电极间电压和漏源电极间电压的放大电路,其中,上述放大电路具有与上述电流源电路相连接的第1输入端子、与上述第1输入端子之间的电位差被控制为规定值的第2输入端子、和与上述晶体管的栅电极相连接的输出端子,上述晶体管的栅电位根据上述电流而被控制。
地址 日本神奈川