一种MOSFET器件

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET器件，涉及金属氧化物半导体场效应晶体管，目的在于提出一种高压横向MOSFET，提高性能，包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间。其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。

主权项

一种MOSFET器件，其特征在于，包括：一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中，为高浓度的第一型掺杂；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；源极区，位于所述第二型基区中，为高浓度的第一型掺杂；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。