半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及制造方法，其在最大化半导体器件的集成度同时将线宽减到最小。其中该方法包括在半导体衬底上形成层间绝缘膜，在该层间绝缘膜中形成第一通孔，在所述第一通孔中形成树脂材料，在所述层间绝缘膜中侧向邻近地形成多个第二通孔，在所述多个第二通孔中形成树脂材料，同时形成多个第三通孔和沟槽，所述多个第三通孔在所述层间绝缘膜中形成，该沟槽在空间上位于所述第一通孔空间上方且与其对应，移除形成在所述第一通孔和所述多个第二通孔中的树脂，在所述第一通孔、第二通孔和第三通孔以及沟槽中同时形成金属层。通过双重成像形成适用于双镶嵌工艺的金属层，将光刻中的线宽减到最小且具有最大化半导体器件集成度的效果。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上方依次形成第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜；然后形成延伸穿过所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的第一通孔，以暴露部分所述半导体衬底；然后使用第一树脂材料填充所述第一通孔；然后同时形成延伸穿过所述第二层间绝缘膜并且部分位于所述第一层间绝缘膜中的第二通孔和第三通孔，以暴露部分所述第一层间绝缘膜；然后同时填充所述第二通孔和所述第三通孔，其中使用第二树脂材料填充所述第二通孔，并使用第三树脂材料填充所述第三通孔；然后同时形成延伸穿过所述第二层间绝缘膜并且部分位于所述第一层间绝缘膜中的第四通孔、第五通孔和沟槽，其中所述沟槽形成为在空间上位于所述第一通孔上方并与其对应；然后移除所述第一树脂材料、所述第二树脂材料和所述第三树脂材料，以分别暴露所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔；然后分别在所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔和所述沟槽中同时形成第一通路、第二通路、第三通路、第四通路、第五通路和接触件。