| 发明名称 | 一种双轨相变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种双轨相变储存器，包括下电极、下加热电极、相变材料层和上电极。下电极为栓状，下加热电极、相变材料层和上电极自下而上地设置在下电极上。本发明还提供一种双轨相变储存器的制备方法。本发明储存器的热效率更高、结构新颖，且可控制加热电极材料与相变材料接触面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102122700A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201110001523.4 | 申请日期 | 2011.01.06 |
| 申请人 | 上海新储集成电路有限公司 | 发明人 | 吴关平;万旭东;陈邦明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人 | 董红曼 |
| 主权项 | 一种双轨相变存储器，其特征在于，包括下电极（2）、下加热电极（4）、相变材料层（6）和上电极（7）；所述下电极（2）为栓状，所述下加热电极（4）、相变材料层（6）和上电极（7）自下而上地设置在下电极（2）上；所述下加热电极（4）与相变材料层（6）构成轨道，所述轨道成对出现。 | ||
| 地址 | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号 | ||