发明名称 升压式双向电源转换器
摘要
申请公布号 TWM407547 申请公布日期 2011.07.11
申请号 TW099217443 申请日期 2010.09.09
申请人 国防部军备局中山科学研究院 发明人 张镇宇;吴正富;任国光;刘芢君;高乾敏
分类号 H02M3/155 主分类号 H02M3/155
代理机构 代理人
主权项 一种升压式双向电源转换器,包括:一第一转换电路,耦接一输入电压,将该输入电压转换成一直流输出电压至一负载;一第二转换电路,耦接一输入电压,将该输入电压转换成一直流输出电压至一负载;其中该第一转换电路第一端及该第二转换电路第一端电性连结至同一输入电压,且该第一转换电路第二端及该第二转换电路第二端电性连接至同一负载。如申请专利范围第1项所述之升压式双向电源转换器,其中该第一转换电路系为一双向转换电路。如申请专利范围第1项所述之升压式双向电源转换器,其中该第二转换电路系为一双向转换电路。如申请专利范围第2项所述之升压式双向电源转换器,其中,该第一转换电路更包含一第一电感、一第一开关元件及一第二开关元件,该第一开关元件与该第二开关元件电性连接于一第一节点,且该第一电感中第一电感第二端与该第一节点电性连接。如申请专利范围第3项所述之升压式双向电源转换器,其中,该第二转换电路更包含一第二电感、一第三开关元件及一第四开关元件,该第三开关元件与该第四开关元件电性连接于一第二节点,且该第二电感中第二电感第二端与该第二节点电性连接。如申请专利范围第4项所述之升压式双向电源转换器,其中,该第一开关元件及该第二开关元件系为一金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)。如申请专利范围第5项所述之升压式双向电源转换器,其中,该第三开关元件及该第四开关元件系为一金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)。一种升压式双向电源转换器,包括:一输入电压源,系用以提供一输入电压;一第一转换电路,包含有:一第一电感,其第一端系耦接该输入电压;一第一开关元件,其第一端系电性连接该第一电感第二端,该第一开关元件第二端电性连接一负载;一第二开关元件,其第二端系电性连接该第一电感第二端与该第一开关元件第一端,该第二开关元件第一端电性连接该负载;一第二转换电路,包含有:一第二电感,其第一端系电性连接该输入电压与该第一电感第一端;一第三开关元件,其第一端系电性连接该第二电感第二端,该第三开关元件第二端电性连接该负载与该第一开关元件第二端;一第四开关元件,其第二端系电性连接该第二电感第二端与该第三开关元件第一端,该第四开关元件第一端电性连接该负载与该第二开关元件第一端。如申请专利范围第8项所述之升压式双向电源转换器,其中,该升压式双向电源转换器更包含一输入电容,系用以并联该输入电压。如申请专利范围第8项所述之升压式双向电源转换器,其中,该升压式双向电源转换器更包含一负载电容,系用以并联该负载。
地址 桃园县龙潭乡佳安村佳安段481号