高导热之积体电路（ＩＣ）载板、封装积体电路（ＩＣ）载板及电子元件

主权项

一种高导热之积体电路(IC)载板，包括一含高传热系数之材料所组成之基板，该基板系由具有高传热系数之金属材料或非金属材料所组成，该钻石层系覆盖于该基板上，其材质由钻石或类钻石膜所组成，该钻石层表面设有由铜金属所组成之导电层，而该钻石层与导电层间设有一金属接合层。如申请专利范围第1项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该基板之高传热系数之金属材料由铜或铝金属所组成。如申请专利范围第2项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该基板与钻石层间尚包含一接合层，其系由铬、钼、钨、钛、锰或锗之金属所组成。如申请专利范围第1项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该基板之高传热系数之非金属材料由碳化矽(SiC)、氧化铍(BeO)或三氧化二铝(Al2O3)之非金属所组成。如申请专利范围第1项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该钻石层具有绝缘之作用，且另具有快速传导与热分散之作用。如申请专利范围第5项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该钻石层之结构为非晶质结构、单晶结构或多晶质结构。如申请专利范围第1项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该钻石层具有导电之作用。如申请专利范围第7项所述高导热之积体电路(IC)载板，其中该钻石层为掺杂硼(B)或氮(N)元素的钻石或类钻石膜而形成之导电体。如申请专利范围第1项所述高导热之积体电路(IC)载板，该钻石层与导电层间之接合层由铬、钼、钨、钛、锰或锗金属所组成。一种高导热之封装积体电路(IC)载板，包括一含高传热系数之材料所组成之基板，该基板系由具有高传热系数之金属材料或非金属材料所组成，该钻石层系覆盖于该基板上，其材质系由钻石或类钻石膜所组成，且系由钻石或类钻石膜所组成，该钻石层表面设有铜金属所组成之导电层，而该钻石层与导电层间设有一金属接合层，而该导电层上设有晶片以及包覆该晶片的封装材料。如申请专利范围第10项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该基板之高传热系数之金属材料系由铜或铝金属所组成。如申请专利范围第11项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该基板与钻石层间尚包含一接合层，其系由铬、钼、钨、钛、锰或锗金属所组成。如申请专利范围第10项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该基板之高传热系数之非金属材料系由碳化矽(SiC)、氧化铍(BeO)或三氧化二铝(Al2O3)之非金属所组成。如申请专利范围第10项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该钻石层具有绝缘之作用，且另具有快速传导与热分散之作用。如申请专利范围第14项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该钻石层之结构为非晶质结构、单晶结构或多晶质结构。如申请专利范围第10项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该钻石层具有导电之作用。如申请专利范围第16项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，其中该钻石层为掺杂硼(B)或氮(N)元素的钻石或类钻石膜而形成之导电体。如申请专利范围第10项所述高导热之封装积体电路(IC)载板，该钻石层与导电层间之接合层系由铬、钼、钨、钛、锰或锗金属所组成。一种电子元件，其系包含如申请专利范围第1项所请之高导热之积体电路(IC)载板。如申请专利范围第19项所述之电子元件，其中该电子元件具有高导热之特性，使电子元件所产生之高热藉热传导散去。一种电子元件，其系包含如申请专利范围第10项所述高导热之封装积体电路(IC)载板。如申请专利范围第21项所述之电子元件，其中该电子元件具有高导热之特性，使电子元件所产生之高热藉热传导散去。