| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一基底；一介电层，覆盖于该基底上，其中于该介电层中形成有一开口；一第一阻障层，覆盖于该开口之侧壁，其中该第一阻障层系选自由氮化钽与氮化钛所组成之族群；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口之底部；以及一导电层，填入该开口。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该介电层包括低介电常数材质。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该开口包括一沟槽、一介层窗或其组合。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该第二阻障层包括钽或钛。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该第二阻障层之厚度系低于100埃。一种半导体装置之制造方法，包括：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一开口于该介电层中；沈积一第一阻障层于该开口之底部与侧壁，其中该第一阻障层系选自由氮化钽与氮化钛所组成之族群；再溅镀该第一阻障层，以移除位于该开口底部之第一阻障层；沈积一第二阻障层于该第一阻障层上与该开口底部；再溅镀该第二阻障层；以及填入一导电层于该开口中。如申请专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中该介电层包括低介电常数材质。专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中该开口包括一沟槽、一介层窗或其组合。如申请专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中该第二阻障层包括钽或钛。如申请专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中系藉由物理气相沈积法沈积该第一与第二阻障层。如申请专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中系利用惰性气体对该第一与第二阻障层进行再溅镀。如申请专利范围第11述之半导体装置之制造方法，其中该惰性气体包括氩气。如申请专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中再溅镀该第一与第二阻障层之压力大体介于0.01~100毫托，温度大体介于摄氏-40~200度，以及功率大体介于600~1,000瓦。如申请专利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中再溅镀量与沈积量之比例系不大于0.6。利范围第6项所述之半导体装置之制造方法，其中再溅镀量与沈积量之比例系为0.5。 |
