| 主权项 |
一种气相成长装置，是至少具有：可密闭的反应炉；设置在该反应炉内，并且在表面侧具有用来保持晶圆之晶圆载置部的晶圆收容手段；用来向晶圆供应原料气体的气体供应手段；用来加热前述晶圆的加热手段；以及其大小与前述晶圆收容手段大致相同，保持前述晶圆收容手段，并且使来自前述加热手段的热量均一化的均热手段，并藉由在前述反应炉内利用前述加热手段，经由前述均热手段及前述晶圆收容手段而加热晶圆，同时在高温状态下供应原料气体，而在前述晶圆表面形成成长膜的气相成长装置，其特征为：前述晶圆收容手段，在背面侧形成有：凹陷成以该晶圆收容手段的中心为顶点的圆顶状的凹部。如申请专利范围第1项所记载的气相成长装置，其中，当设在前述晶圆收容手段的前述凹部的高度为H，直径为D时，则高度与直径的比H/D为0.01~2.10%。如申请专利范围第2项所记载的气相成长装置，其中，前述高度与直径的比H/D为0.50~1.50%。如申请专利范围第2或3项所记载的气相成长装置，其中，设在前述晶圆收容手段的前述凹部的高度H为0.02~3.00mm。 |
