| 主权项 |
一种薄膜电晶体，适用于一显示元件上，至少包括：一闸极，系形成于一基板上；一闸极绝缘层，系覆盖该闸极；一非晶矽区，系形成于该闸极绝缘层上且对应地位于该闸极上方，非晶矽区之面积系小于位于下方的该闸极之面积；一掺杂非晶矽区，形成于该非晶矽区上方；一源极金属区和一汲极金属区，系电性隔绝地形成于该掺杂非晶矽区上并对应地位于该闸极之上方，且该源极金属区和该汲极金属区系与该非晶矽区分离；一资料线金属区，系形成于该闸极绝缘层上方，且该资料线金属区和该源极金属区系相隔一间距；一保护层，系形成于该闸极绝缘层上并覆盖该源极金属区、该汲极金属区和该资料线金属区并接触该掺杂非晶矽区及该非晶矽区之侧面，该保护层包括一第一介层洞、一第二介层洞和一第三介层洞，以分别暴露该汲极金属区、该源极金属区和该资料线金属区之部分表面；和一导电层，系形成于该保护层上并覆盖该第一介层洞、该第二介层洞和该第三介层洞，以电性连接该资料线金属区和该源极金属区。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该源极金属区和该汲极金属区之间具有一通道，且该通道系暴露出该非晶矽区之部分表面。如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体，其中该保护层系填满该通道。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体更包括一资料线非晶矽区，且该资料线金属区系形成于该资料线非晶矽区上。如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体，其中该资料线金属区与该资料线非晶矽区之间更具有一掺杂资料线非晶矽区。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该第二介层洞和该第一介层洞系电性隔绝。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该闸极绝缘层为一氮化矽层。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该导电层为一氧化铟锡层。一种薄膜电晶体之制造方法，至少包括步骤：形成一闸极于一基板上；形成一闸极绝缘层覆盖该闸极；形成一非晶矽区于该闸极绝缘层上且对应地位于该闸极上方；形成一掺杂非晶矽区于该非晶矽区上方；电性隔绝地形成一源极金属区和一汲极金属区于该掺杂非晶矽区上，且该源极金属区和该汲极金属区系对应地位于该闸极之上方并与该非晶矽区分离，该非晶矽区之面积系小于位于下方的该闸极之面积；形成一资料线金属区于该闸极绝缘层上方，且该资料线金属区和该源极金属区系相隔一间距；形成一保护层于该闸极绝缘层上并覆盖该源极金属区、该汲极金属区和该资料线金属区并接触该掺杂非晶矽区及该非晶矽区之侧面；形成一第一介层洞、一第二介层洞和一第三介层洞于该保护层，以分别暴露该汲极金属区、该源极金属区和该资料线金属区之部分表面；以及形成一导电层于该保护层上并覆盖该第一介层洞、该第二介层洞和该第三介层洞，以电性连接该资料线金属区和该源极金属区。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中形成该闸极之步骤包括：形成一第一金属层于该基板上；以及图案化该第一金属层以形成该闸极。如申请专利范围第10项所述之制造方法，其中形成该非晶矽区之步骤包括：形成一非晶矽层于该闸极绝缘层上；形成一掺杂非晶矽层于该非晶矽层上；及图案化该掺杂非晶矽层和该非晶矽层，以形成该掺杂非晶矽区和该非晶矽区。如申请专利范围第11项所述之制造方法，其中形成该源极金属区、该汲极金属区和该资料线金属区之步骤包括：形成一第二金属层于该掺杂非晶矽区之上方；及图案化该第二金属层，以形成该源极金属区、该汲极金属区和该资料线金属区；其中，该源极金属区和该汲极金属区之间具有一通道，且该通道系暴露出该非晶矽区之部分表面。如申请专利范围第10项所述之制造方法，其中形成该闸极绝缘层之步骤后，包括步骤：形成一非晶矽层于该闸极绝缘层上；形成一掺杂非晶矽层于该非晶矽层上；形成一第二金属层于该掺杂非晶矽层上；及图案化该第二金属层、该掺杂非晶矽层和该非晶矽层，以形成该源极金属区、该汲极金属区、该资料线金属区、该掺杂非晶矽区、一掺杂资料线非晶矽区、该非晶矽区和一资料线非晶矽区；其中，该源极金属区和该汲极金属区之间具有一通道，且该通道系暴露出该非晶矽区之部分表面，该资料线非晶矽区则形成于该资料线金属区之下方并与该资料线金属区之宽度相对应。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该闸极绝缘层为一氮化矽层。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该导电层为一氧化铟锡层。 |
