| 主权项 |
一种未封装之半导体积体电路装置，系用于溶液中并具有SOI基板和积体电路，在该SOI基板中依序堆叠有支持基板、埋入绝缘层、及半导体层，且该积体电路系形成在该半导体层上，该装置包含：保护环层，系在该半导体层中以n型杂质扩散层所形成，并围绕该积体电路的形成区域，其中该保护环到达该埋入绝缘层；以及浮动层，系在该半导体层中以p型杂质扩散层所形成，并围绕该保护环层，其中该浮动层的内侧表面与该保护环层的外侧表面接触，且该浮动层到达该半导体层的外表面，其中该保护环系设定为该积体电路的最大电位，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该半导体层的该外表面系暴露于该溶液。如申请专利范围第1项之未封装之半导体积体电路装置，其中该积体电路包括离子感应场效电晶体和电性连结至该离子感应场效电晶体的闸极之离子感应膜，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该离子感应膜系暴露于该溶液。如申请专利范围第1项之未封装之半导体积体电路装置，其中该积体电路包括第一离子感应场效电晶体、第二离子感应场效电晶体、电性连结至该第一离子感应场效电晶体的闸极之第一离子感应膜、及电性连结至该第二离子感应场效电晶体的闸极之第二离子感应膜，其中，该第一离子感应膜的离子选择性不同于该第二离子感应膜的离子选择性，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该第一和第二离子感应膜系暴露于该溶液。如申请专利范围第1项之未封装之半导体积体电路装置，其中该积体电路包括离子感应场效电晶体、电性连结至该离子感应场效电晶体的闸极之金属层、及附着于该金属层的探针DNA，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该金属层和该探针DNA系暴露于该溶液。一种未封装之半导体积体电路装置，系用于溶液中并具有SOI基板和积体电路，在该SOI基板中依序堆叠有支持基板、埋入绝缘层、及半导体层，且该积体电路系形成在该半导体层上，该装置包含：保护环层，系在该半导体层中以p型杂质扩散层所形成，并围绕该积体电路的形成区域，其中该保护环到达该埋入绝缘层；以及浮动层，系在该半导体层中以n型杂质扩散层所形成，并围绕该保护环层，其中该浮动层的内侧表面与该保护环层的外侧表面接触，且该浮动层到达该半导体层的外表面，其中该保护环系设定为该积体电路的最小电位，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该半导体层的该外表面系暴露于该溶液。如申请专利范围第5项之未封装之半导体积体电路装置，其中该积体电路包括离子感应场效电晶体和电性连结至该离子感应场效电晶体的闸极之离子感应膜，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该离子感应膜系暴露于该溶液。如申请专利范围第5项之未封装之半导体积体电路装置，其中该积体电路包括第一离子感应场效电晶体、第二离子感应场效电晶体、电性连结至该第一离子感应场效电晶体的闸极之第一离子感应膜、及电性连结至该第二离子感应场效电晶体的闸极之第二离子感应膜，其中，该第一离子感应膜的离子选择性不同于该第二离子感应膜的离子选择性，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该第一和第二离子感应膜系暴露于该溶液。如申请专利范围第5项之未封装之半导体积体电路装置，其中该积体电路包括离子感应场效电晶体、电性连结至该离子感应场效电晶体的闸极之金属层、及附着于该金属层的探针DNA，以及其中，当使用该未封装之半导体积体电路装置时，该金属层和该探针DNA系暴露于该溶液。 |
