| 主权项 |
一种量测薄膜阻气率的方法，至少包含：提供一试样，其中该试样具有一阻气薄膜层；取得第一气体对于该试样的一第一穿透率与第二气体对于该试样的一第二穿透率的一相对关系；量测一第一气体对于该试样的一第一穿透率；以及由该第一穿透率来推算一第二气体对于该试样的一第二穿透率，以得到该阻气薄膜层对于该第二气体的一阻气率，其中该第一气体的分子大小系小于该第二气体的分子大小。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该相对关系一线性相对关系。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该取得该相对关系的步骤中至少包含：取得复数个第一穿透率值及其相对应的复数个第二穿透率值；由该些第一穿透率值及其相对应的该些第二穿透率值来建立一对应关系图；以及由该对应关系图中取得一校正曲线。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该试样系一塑胶基板。如申请专利范围第4项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该试样的材料系选自由Polyimide系列、Polyester系列、Polycarbonate系列、Polyamide系列、Polyurethane系列、Polyacrlate系列及Polysulfonate系列所组成之一族群。如申请专利范围第4项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该塑胶基板系用以作为一有机光电元件的基板。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该阻气薄膜层的材料系选自由SiO2、Al2O3、ZnO、HfO2、TiO2、Ta2O5及ZrO2所组成之一族群。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该第一气体系选自由He、H2及Ne所组成之一族群。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该第一气体为惰性气体。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该第二气体为氧气。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该第二气体为水气。如申请专利范围第1项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该量测该第一穿透率的步骤中该试样系利用一量测系统来进行量测，而该量测系统至少包含：一气体管线系统，其中该试样系密封于该气体管线系统中；一第一气体源，设置于该气体管线系统的一端，且位于该试样的一侧，用以提供该第一气体至该试样；一气体感测器，设置于该气体管线系统的另一端，且位于该试样的另一侧，用以量测该第一气体对于该试样的该第一穿透率。如申请专利范围第12项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该量测系统更至少包含：一管线阀，用以调节该第一气体的流量；一压力计，用以得知该气体管线系统中的压力，藉以调整固定该气体管线系统内的气体压力。如申请专利范围第12项所述之量测薄膜阻气率的方法，其中该气体感测器系一氦气测漏仪(Helium Leak Detector)。一种量测气体穿透率的方法，至少包含：提供一试样；取得第一气体对于该试样的一第一穿透率与第二气体对于该试样的一第二穿透率的一相对关系；量测一第一气体对于该试样的一第一穿透率；以及由该第一穿透率来推算一第二气体对于该试样的一第二穿透率，其中该第一气体的分子大小系小于该第二气体的分子大小。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该相对关系一线性相对关系。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该取得该相对关系的步骤中至少包含：取得复数个第一穿透率值及其相对应的复数个第二穿透率值；由该些第一穿透率值及其相对应的该些第二穿透率值来建立一对应关系图；以及由该对应关系图中取得一校正曲线。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该试样系一塑胶基板。如申请专利范围第18项所述之量测气体穿透率的方法，其中该试样的材料系选自由Polyimide系列、Polyester系列、Polycarbonate系列、Polyamide系列、Polyurethane系列、Polyacrlate系列及Polysulfonate系列所组成之一族群。如申请专利范围第18项所述之量测气体穿透率的方法，其中该塑胶基板系用以作为一有机光电元件的基板。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该第一气体系选自由He、H2及Ne所组成之一族群。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该第一气体为惰性气体。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该第二气体为氧气。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该第二气体为水气。如申请专利范围第15项所述之量测气体穿透率的方法，其中该量测该第一穿透率的步骤中该试样系利用一量测系统来进行量测，而该量测系统至少包含：一气体管线系统，其中该试样系密封于该气体管线系统中；一第一气体源，设置于该气体管线系统的一端，且位于该试样的一侧，用以提供该第一气体至该试样；一气体感测器，设置于该气体管线系统的另一端，且位于该试样的另一侧，用以量测该第一气体对于该试样的该第一穿透率。如申请专利范围第25项所述之量测气体穿透率的方法，其中该量测系统更至少包含：一管线阀，用以调节该第一气体的流量；一压力计，用以得知该气体管线系统中的压力，藉以调整固定该气体管线系统内的气体压力。如申请专利范围第25项所述之量测气体穿透率的方法，其中该气体感测器系一氦气测漏仪(Helium Leak Detector)。一种量测气体穿透率的方法，至少包含：提供一试样；量测一第一气体对于该试样的一第一穿透率，其中该第一气体系氦气；取得该第一穿透率与该第二穿透率的一相对关系；以及由该第一穿透率和该相对关系来推算一第二气体对于该试样的一第二穿透率，其中该第一气体的分子大小系小于该第二气体的分子大小。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该相对关系一线性相对关系。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该取得该相对关系的步骤中至少包含：取得复数个第一穿透率值及其相对应的复数个第二穿透率值；由该些第一穿透率值及其相对应的该些第二穿透率值来建立一对应关系图；以及由该对应关系图中取得一校正曲线。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该试样系一塑胶基板。如申请专利范围第31项所述之量测气体穿透率的方法，其中该试样的材料系选自由Polyimide系列、Polyester系列、Polycarbonate系列、Polyamide系列、Polyurethane系列、Polyacrlate系列及Polysulfonate系列所组成之一族群。如申请专利范围第31项所述之量测气体穿透率的方法，其中该塑胶基板系用以作为一有机光电元件的基板。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该试样具有一阻气薄膜层。如申请专利范围第34项所述之量测气体穿透率的方法，其中该阻气薄膜层的材料系选自由SiO2、Al2O3、ZnO、HfO2、TiO2、Ta2O5及ZrO2所组成之一族群。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该第二气体为氧气。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该第二气体为水气。如申请专利范围第28项所述之量测气体穿透率的方法，其中该量测该第一穿透率的步骤中该试样系利用一量测系统来进行量测，而该量测系统至少包含：一气体管线系统，其中该试样系密封于该气体管线系统中；一第一气体源，设置于该气体管线系统的一端，且位于该试样的一侧，用以提供该第一气体至该试样；一气体感测器，设置于该气体管线系统的另一端，且位于该试样的另一侧，用以量测该第一气体对于该试样的该第一穿透率。如申请专利范围第38项所述之量测气体穿透率的方法，其中该量测系统更至少包含：一管线阀，用以调节该第一气体的流量；一压力计，用以得知该气体管线系统中的压力，藉以调整固定该气体管线系统内的气体压力。 |
