| 主权项 |
一种制备至少50%镜像异构物过量(ee)之式I化合物或其盐之不对称氢化方法@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!其中n为1或2，R1为Br或-SO2CH3，且R2为H、苄基、4-硝基苄基、4-胺基苄基、4-三氟甲基苄基或4-氯苄基，该方法包括：以金属对掌配位体及氢予体处理式II化合物或其盐@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!其中当该氢予体为H2时，该方法系于自约0至约500 psig(每平方英寸磅表压)之压力下进行，且其中该金属对掌配位体为(1)钌轴向对掌膦配位体复合物或(2)铑对掌二茂铁基膦配位体复合物或(3)铑-TMBTP复合物。如请求项1之方法，其中该金属对掌配位体为钌轴向对掌膦配位体复合物，且该对掌配位体系选自BINAP(式(a)，Ar=苯基)、tol-BINAP(式(a)，Ar=对-甲苯基)、xyl-BINAP(式(a)，Ar=3,5-二甲苯基)、Synphos(式(c)，Ar=苯基)、Solphos(式(e)，Ar=苯基)、MeO-BIPHEP(式(f)，Ar=苯基，Z=甲基，Ra=Rb=Rc=H)、hexaPHEMP(式(f)，Ar=苯基、Z=Ra=Rb=甲基，Rc=H)、C(1-6)-tunaphos(式(g)，Ar=苯基，且n为1至6)、P-Phos(式(i)，Ar=苯基)、xyl-P-Phos(式(i)，Ar=3,5-二甲苯基)及TMBTP(式(h)，Ar=苯基)，@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!如请求项1之方法，其中该金属对掌配位体为(对-繖花烃)Ru(S)-BINAP-Cl2，其中BINAP为式(a)，且Ar=苯基，@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!如请求项1之方法，其中该金属对掌配位体为(对掌配位体)RuX2，其中X于各次出现时，系独立选自Cl、Br、I、三氟甲磺酸根、醋酸根、甲磺酸根、苯磺酸根、BF4、及B(Ar)4，且Ar为苯基、间-或对-甲苯基、二甲苯基及甲氧基苯基。如请求项1之方法，其中该金属对掌配位基为铑-二茂铁基膦配位体复合物，且该二茂铁基膦配位体系选自式(m)之f-BINAPHANE、式(j)之Walphos，其中Rd及Re各为甲基或三氟甲基、式(k)之josiphos、及式(1)之taniaphos，@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!如请求项1之方法，其中该金属对掌配位体为铑-TMBTP复合物，其中TMBTP为式(h)，且Ar=苯基，@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!如请求项1之方法，其中该氢化反应系于硷存在下及视需要于I族或II族盐存在下进行。一种制备至少50%镜像异构物过量(ee)之式Ia化合物或其盐之不对称氢化方法@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!其包括：以金属对掌配立体及氢予体处理式IIa化合物或其盐@sIMGTIF!d10008.TIF@eIMG!中当该氢予体为H2时，本方法系于自约0至约500 psig(每平方英寸磅表压)之压力下进行，且其中该金属对掌配位体为(1)钌轴向对掌膦配位体复合物或(2)铑对掌性二茂铁基膦配位体复合物或(3)铑-TMBTP复合物。如请求项8之方法，其中该氢化反应系于硷存在下，使用氢进行，且其中该金属对掌配位体系选自(1)具有BINAP(式(a)，Ar=苯基)、tol-BINAP(式(a)，Ar=对-甲苯基)、xyl-BINAP(式(a)，Ar=3,5-二甲苯基)、Synphos(式(c)，Ar=苯基)、Solphos(式(e)，Ar=苯基)、MeO-BIPHEP(式(f)，Ar=苯基，Z=甲基，Ra=Rb=Rc=H)、hexaPHEMP(式(f)，Ar=苯基、Z=Ra=Rb=甲基，Rc=H)、C(1-6)-tunaphos(式(g)，Ar=苯基，且n为1至6)、P-Phos(式(i)，Ar=苯基)、xyl-P-Phos(式(i)，Ar=3,5-二甲苯基)或TMBTP(式(h)，Ar=苯基)之钌复合物，@sIMGTIF!d10009.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10010.TIF@eIMG!(2)具有f-BINAPHANE(式(m))、Walphos(式(j)，其中Rd及Re各为甲基或三氟甲基)、式(k)之josiphos、式(1)之taniaphos之铑复合物@sIMGTIF!d10011.TIF@eIMG!或TMBTP(式(h)，Ar=苯基)，@sIMGCHAR!d10029.TIF@eIMG!如请求项8之方法，其中该氢化反应系于自约0至约20 psig之压力下进行。一种式II化合物或其盐：@sIMGTIF!d10012.TIF@eIMG!其中n、R1及R2如请求项1之定义。如请求项11之化合物或其盐，其中n为1，R1为-SO2CH3，且R2为4-氯苄基。 |
