| 主权项 |
一种类比缓冲器(Analog Buffer)，应用于一源极驱动器(Source Driver)，该类比缓冲器系包括一输入端及一输出端，该输入端系用以接收一输入电压，该类比缓冲器包括：一电晶体，该电晶体之源极(Source)系耦接至该输出端，汲极(Drain)系耦接至一第一电压；一电流源，用以输出一偏压电流流过该电晶体，以对该电晶体进行偏压；一第一电容，该第一电容之两端系分别耦接至该电晶体之闸极(Gate)及一第一节点；一第二电容，该第二电容之两端系分别耦接至该电晶体之闸极及一第二节点；一第一开关，该第一开关之两端系分别耦接至一第二电压及该电晶体之闸极；一第二开关，该第二开关之两端系分别耦接至该输入端及该第一节点；一第三开关，该第三开关之两端系分别耦接至该输入端及该第二节点；一第四开关，该第四开关之两端系分别耦接至该第一节点及该输出端；以及一第五开关，该第五开关之两端系分别耦接至该第二节点及该输出端；其中，当该类比缓冲器操作于一第一时段时，该第一及该第四开关系为致能，该第二、该第三及该第五开关系为非致能；当该类比缓冲器操作于一第二时段时，该第二及该第五开关系为致能，该第一、该第三及该第四开关系为非致能；当该类比缓冲器操作于一第三时段时，该第三开关系为致能，该第一、该第二、该第四及该第五开关系为非致能，该第二时段系位于该第一时段之后，该第三时段系位于该第二时段之后。如申请专利范围第1项所述之类比缓冲器，其中该类比缓冲器系为一源极追随器(Source Follower)。如申请专利范围第1项所述之类比缓冲器，其中当该类比缓冲器操作于该第一时段时，该第一电容两端之跨压系实质上等于该电晶体之一临界(Threshold)电压，该输出端之电压系实质上等于该临界电压与该第二电压之差，而该电晶体之闸极电压系实质上等于该第二电压。如申请专利范围第1项所述之类比缓冲器，其中当该类比缓冲器操作于该第二时段时，该电晶体之闸极电压系实质上等于该输入电压与该临界电压之和，该输出端之电压系实质上等于该输入电压。如申请专利范围第1项所述之类比缓冲器，其中当该类比缓冲器操作于该第三时段时，该电晶体之闸极电压系实质上等于该输入电压及该临界电压之和，该输出端之电压系实质上等于该输入电压。如申请专利范围第1项所述之类比缓冲器，其中该电晶体系为P型金氧半(Metal Oxide Semiconductor)场效电晶体。如申请专利范围第6项所述之类比缓冲器，其中该第二电压系大于或等于该第一电压。如申请专利范围第1项所述之类比缓冲器，其中该电晶体系为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第8项所述之类比缓冲器，其中该第二电压系小于或等于该第一电压。一种类比缓冲器，应用于一源极驱动器，该类比缓冲器系包括一输入端及一输出端，该输入端系用以接收一输入电压，该类比缓冲器包括：一电晶体，该电晶体之源极系耦接至该输出端，汲极系耦接至一第一电压；一电流源，用以输出一偏压电流以流过该电晶体，以对该电晶体进行偏压；一第一电容，该第一电容之一端系耦接至该电晶体之闸极，另一端系耦接至一第一节点；一第二电容，该第二电容之一端系耦接至该第一节点，另一端系耦接至一第二节点；一第一开关，该第一开关之一端系耦接至一第二电压，另一端系耦接至该电晶体之闸极；一第二开关，该第二开关之两端系分别耦接至该输入端及该第一节点；一第三开关，该第三开关之两端系分别耦接至该输入端及该第二节点；一第四开关，该第四开关之两端系分别耦接至该第一节点及该输出端；以及一第五开关，该第五开关之两端系分别耦接至该第二节点及该输出端；其中，当该类比缓冲器操作于一第一时段时，该第一、该第四及该第五开关系为致能，该第二及该第三开关系为非致能；当该类比缓冲器操作于一第二时段时，该第二及该第五开关系为致能，该第一、该第三及该第四开关系为非致能；当该类比缓冲器操作于一第三时段时，该第三开关系为致能，该第一、该第二、该第四及该第五开关系为非致能，该第二时段系位于该第一时段之后，该第三时段系位于该第二时段之后。如申请专利范围第10项所述之类比缓冲器，其中该类比缓冲器系为一源极追随器。如申请专利范围第10项所述之类比缓冲器，其中当该类比缓冲器操作于该第一时段时，该第一电容两端之跨压系实质上等于该电晶体之一临界电压，该输出端之电压系实质上等于该临界电压与该第二电压之差，而该电晶体之闸极电压系实质上等于该第二电压。如申请专利范围第10项所述之类比缓冲器，其中当该类比缓冲器操作于该第二时段时，该电晶体之闸极电压系实质上等于该输入电压与该临界电压之和，该输出端之电压系实质上等于该输入电压。如申请专利范围第10项所述之类比缓冲器，其中当该类比缓冲器操作于该第三时段时，该电晶体之闸极电压系实质上等于该输入电压及该临界电压之和，该输出端之电压系实质上等于该输入电压。如申请专利范围第10项所述之类比缓冲器，其中该电晶体系为P型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第15项所述之类比缓冲器，其中该第二电压系大于或等于该第一电压。如申请专利范围第10项所述之类比缓冲器，其中该电晶体系为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第17项所述之类比缓冲器，其中该第二电压系小于或等于该第一电压。 |
