发明名称 多层高密度记录媒体及其光学功率调整方法
摘要
申请公布号 TWI345231 申请公布日期 2011.07.11
申请号 TW092115451 申请日期 2003.06.06
申请人 LG电子股份有限公司 发明人 金进镛;徐相运
分类号 G11B7/007;G02F1/00 主分类号 G11B7/007
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种光学功率调整方法,该方法至少包括下列步骤:从一多层光学记录媒体的至少两个记录层的分别特定区域,连续地读取光学功率资讯,该光学功率资讯具有一第一记录层的第一光学功率资讯及一第二记录层的第二光学功率资讯,并将该经读取的光学功率资讯储存至一记忆体,其中该第一及第二光学功率资讯被用于一光学功率调整操作,以获得分别记录实际资料于一相对应记录层所需的一写入功率,且包括分别用于至少两个不同记录速度的参考写入功率资讯;当需要以一记录速度在一记录层上记录资料时,藉由参考该光学功率资讯根据该记录层及该记录速度调整一实际写入功率;以及若需要从一层跳换操作至某一记录层,则在该层跳换操作之后,实质上立即地设定适于该某一记录层的一光学功率及一特定记录速度,其中该设定步骤包括以下步骤:根据该光学功率调整操作,基于储存于该记忆体中用于该特定记录速度的参考功率资讯,来获得用于记录实际资料的一写入功率。如申请专利范围第1项所述之光学功率调整方法,其中该第一及第二光学功率资讯之各者进一步包括一相对应记录层的参考读取功率资讯。如申请专利范围第2项所述之光学功率调整方法,其中该光学功率资讯进一步包括最大DC(直流)读取功率资料及最大高频调变读取功率资料。如申请专利范围第1项所述之光学功率调整方法,其中该读取步骤进一步读取用于表明形成于该光学记录媒体中的记录层的一数目的结构资讯,而进一步包含以下步骤:基于该结构资讯,识别该光学记录媒体的记录层的该数目。如申请专利范围第1项所述之光学功率调整方法,其中该第一及第二光学功率资讯在该等分别的特定区域中系分别被记录成摆动的形式,该摆动的形式包含ADIP(预凹槽位址)单元,多个ADIP(预凹槽位址)单元包含一或多个ADIP(预凹槽位址)字词,该光学功率资讯被包括在该等ADIP(预凹槽位址)字词中。一种光学功率调整方法,该方法至少包含下列步骤:在将资料写入一光学记录媒体之前,从包括于该光学记录媒体的一第一记录层中的一特定区域及包括于该光学记录媒体的一第二记录层中的一特定区域,连续地获得光学功率资讯,以从该光学记录媒体读取或将资料写入该光学记录媒体,其中该光学功率资讯包括第一及第二光学功率资讯,该第一及第二光学功率资讯被用于一光学功率调整操作,以获得分别记录实际资料于一相对应记录层所需的一写入功率,且包括分别用于至少两个不同记录速度的参考写入功率资讯,其中该第一及第二光学功率资讯在各记录层的该特定区域中系被记录成摆动的形式,该等摆动的形式包含ADIP(预凹槽位址)单元,多个ADIP(预凹槽位址)单元包含一或多个ADIP(预凹槽位址)字词,且该光学功率资讯被包括在该等ADIP(预凹槽位址)字词中;在将资料写入该光学记录媒体之前,储存该获得的光学功率资讯至一记忆体中;及基于一相对应记录层及一相对应记录速度之该光学功率资讯,来控制一写入操作,其中该控制步骤进一步包括以下步骤:参考储存于该记忆体中的一特定记录速度的该光学功率资讯,且根据该参考的光学功率资讯来调整该特定记录速度的一实际写入功率。如申请专利范围第6项所述之光学功率调整方法,其中该第一及第二光学功率资讯之各者进一步包括一相对应记录层的参考读取功率资讯。如申请专利范围第7项所述之光学功率调整方法,其中该光学功率资讯进一步包括最大DC(直流)读取功率资料及最大高频调变读取功率资料。如申请专利范围第6项所述之光学功率调整方法,进一步包含以下步骤:读取用于表明形成于该光学记录媒体中的记录层的一数目的结构资讯;及基于该结构资讯,识别该光学记录媒体的记录层的该数目。一种用于光学功率调整的装置,包含:一读取/写入单元,配置成从一多层光学记录媒体的至少两个记录层的分别特定区域,读取具有一第一记录层的第一光学功率资讯及一第二记录层的第二光学功率资讯的光学功率资讯,其中该第一及第二光学功率资讯系被用于一光学功率调整操作,以获得分别记录实际资料于一相对应记录层所需的一写入功率,且包括分别用于至少两个不同记录速度的参考写入功率资讯;一记忆体,配置成储存该经读取的光学功率资讯;及一控制器,配置成向该等分别特定区域移动该光学读写头,以便连续地读取该第一记录层的第一光学功率资讯及该第二记录层的第二光学功率资讯,而当需要以一记录速度在一记录层上记录资料时,基于该经读取的光学功率资讯,根据一相对应记录层及一相对应记录速度来调整一实际写入功率,且配置成控制该记忆体来储存该经读取的光学功率资讯,其中该控制器配置成根据该光学功率调整操作,基于储存于该记忆体中的该特定记录速度的该参考功率资讯,而获得用于记录实际资料的一写入功率,所获得的该写入功率被设定成适于该相对应记录层及该相对应记录速度的该光学功率,及其中若需要从一层跳换操作至某一记录层,则该控制器配置成在该层跳换操作之后,基于储存于该记忆体中的该参考功率资讯,实质上立即地将一光学功率设定成适于该某一记录层的一功率及一特定记录速度。如申请专利范围第10项所述之装置,其中该控制器配置成控制该读取/写入单元,以在初始操作时,获得该光功率资讯。如申请专利范围第10项所述之装置,其中该第一及第二光学功率资讯在该等分别的特定区域中系分别被记录成摆动的形式,该摆动的形式包含ADIP(预凹槽位址)单元,多个ADIP(预凹槽位址)单元包含一或多个ADIP(预凹槽位址)字词,该光学功率资讯被包括在该等ADIP(预凹槽位址)字词中。如申请专利范围第10项所述之装置,其中该控制器配置成控制该读取/写入单元,以于需要一层跳换操作时,移动至该相对应记录层。如申请专利范围第10项所述之装置,其中该控制器配置成控制该读取/写入单元,以读取用于表明形成于该光学记录媒体中的记录层的一数目的结构资讯,且基于该结构资讯识别该光学记录媒体的记录层的该数目。
地址 南韩