| 主权项 |
一种半导体装置，其包含：复数个构成一电路之一部分的装置图案，其形成于一基板的一表面上；及一用以作为一识别标志之符号图案，其形成于与该等装置图案相同的层中，该符号图案代表对应至该识别标志之一原始图案；其中该原始图案包含一直线部份；且其中该装置图案之宽度系属于设计规则之图案宽度范围内，该符号图案系藉由复数个独立的元件图案所形成，各元件图案系为一直线图案，且元件图案之宽度系等于或大于0.8乘以设计规则之图案宽度范围的下限值，并且等于或小于1.2乘以设计规则之图案宽度范围的上限值，该原始图案的该直线部份系藉由该等独立的元件图案中之至少两个元件图案加以表示，该等两个元件图案系彼此平行配置。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中复数个元件图案的相邻图案之间的最小间距系等于或大于0.8乘以复数个装置图案的相邻图案之间的最小间距。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中设计规则之图案宽度范围的上限值系为1微米或更小。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中该基板系为一在分割成为晶片之前的晶圆，复数个藉由划片线加以分隔之装置区域系界定于该晶圆的一表面上，装置图案系配置于该装置区域中，且符号图案系配置于划片线中。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中该识别标志之该原始图案包含一弯曲部分或是一交叉部分，且该符号图案具有一点图案，其配置于对应该原始图案之弯曲部分或交叉部分的位置。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中该装置图案与该符号图案之元件图案包含充填形成于该基板之一表面层中的凹处之构件。一种用以制造一半导体装置之方法，该方法包含之步骤为：在一基板之一表面层中形成凹处，该等凹处构成形成一电路之一部分之复数个装置图案以及用以作为一识别标志之符号图案，该符号图案代表对应至该识别标志之一原始图案，该原始图案包含一直线部份；将一传导薄膜沈积于该基板上，以充填该等凹处；及藉着化学机械研磨去除沈积于该基板之一平坦表面上的传导薄膜，以留下位于该等凹处中之传导薄膜；其中该装置图案之宽度系属于设计规则之图案宽度范围内，该符号图案系藉由复数个独立的元件图案所形成，各元件图案系为一直线图案，且元件图案之宽度系等于或大于0.8乘以设计规则之图案宽度范围的下限值，并且等于或小于1.2乘以设计规则之图案宽度范围的上限值，该原始图案的该直线部份系藉由该等独立的元件图案中之至少两个元件图案加以表示，该等两个元件图案系彼此平行配置。如申请专利范围第7项之半导体装置制造方法，其中复数个元件图案的相邻图案之间的最小间距系等于或大于0.8乘以复数个装置图案的相邻图案之间的最小间距。如申请专利范围第7项之半导体装置制造方法，其中设计规则之图案宽度范围的上限值系为1微米或更小。如申请专利范围第7项之半导体装置制造方法，其中该基板系为一在分割成为晶片之前的晶圆，复数个藉由划片线加以分隔之装置区域系界定于该晶圆的一表面上，装置图案系配置于该装置区域中，且该制造方法进一步包含一沿着划片线切割该基板之步骤。如申请专利范围第7项之半导体装置制造方法，其中该识别标志之该原始图案包含一弯曲部分或是一交叉部分，且该符号图案具有一点图案，其配置于对应该原始图案之弯曲部分或交叉部分的位置。一种半导体装置，其包含：复数个构成一电路之一部分的装置图案，其形成于一基板的一表面上；及一用以作为一识别标志之符号图案，其形成于与该等装置图案相同的层中，该符号图案代表对应至该识别标志之一原始图案；其中该原始图案包含一弯曲部分或是一交叉部分；且其中该装置图案之宽度系属于设计规则之图案宽度范围内，该符号图案系藉由复数个独立的元件图案所形成，各元件图案系为一直线图案或是一点图案，且元件图案之宽度系等于或大于0.8乘以设计规则之图案宽度范围的下限值，并且等于或小于1.2乘以设计规则之图案宽度范围的上限值；且其中对应至该识别标志之该原始图案系藉由一区域的一形状加以表示，其中该区域并未配置构成该符号图案之复数个元件图案。 |
