| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，其特征为具备：在配设于被处理体上的被蚀刻膜上，形成具有特定的开口图形的蚀刻遮罩的制程、和于第1处理室内，藉由通过前述蚀刻遮罩的前述开口图形而对前述被蚀刻膜施以蚀刻处理，于前述被蚀刻膜形成沟或孔的制程、和将前述蚀刻处理后的前述被处理体，在真空气氛下从前述第1处理室搬送至第2处理室的制程、和于前述第2处理室内，于前述被蚀刻膜的露出部的前述沟或孔的侧面部施以矽烷基化处理的制程，前述矽烷基化处理工程系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之工程。如申请专利范围第1项所记载的方法，其中，更具备：于前述矽烷基化处理之前，于前述第2处理室内供给水蒸气，于前述沟或孔的侧面部使水分吸附的制程。如申请专利范围第2项所记载的方法，其中，更具备：搬运前述被处理体至前述第2处理室前，从前述被处理体上除去前述蚀刻遮罩的制程。如申请专利范围第1项所记载的方法，其中，前述矽烷基化处理系具备：供给包含于分子内具有矽氮键结(Si-N键结)的化合物之矽烷基化剂于前述第2处理室内的制程。如申请专利范围第4项所记载的方法，其中，前述化合物系具备TMDS(1,1,3,3-四甲基二矽氮烷)或TMSDMA(二甲基胺基三甲基矽氮烷)。一种半导体装置的制造方法，其特征为具备：在配设于被处理体上的被蚀刻膜上，形成具有特定的开口图形的蚀刻遮罩的制程、和于处理室内，藉由通过前述蚀刻遮罩的前述开口图形而对前述被蚀刻膜施以蚀刻处理，于前述被蚀刻膜形成沟或孔的制程、和于前述处理室内，于前述被蚀刻膜的露出部的前述沟或孔的侧面部施以矽烷基化处理的制程，前述矽烷基化处理工程系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之工程。如申请专利范围第6项所记载的方法，其中，更具备：于前述矽烷基化处理之前，于前述处理室内供给水蒸气，于前述沟或孔的侧面部使水分吸附的制程。如申请专利范围第7项所记载的方法，其中，更具备：于前述处理室内供给前，从前述被处理体上除去前述蚀刻遮罩的制程。如申请专利范围第6项所记载的方法，其中，前述矽烷基化处理系具备：供给包含于分子内具有矽氮键结(Si-N键结)的化合物之矽烷基化剂于前述处理室内的制程。如申请专利范围第9项所记载的方法，其中，前述化合物系具备TMDS(1,1,3,3-四甲基二矽氮烷)或TMSDMA(二甲基胺基三甲基矽氮烷)。一种半导体装置的制造方法，其特征为具备：在配设于被处理体上的被蚀刻膜上，形成具有特定的开口图形的蚀刻遮罩的制程、和通过前述蚀刻遮罩的前述开口图形而于前述被蚀刻膜施以蚀刻处理，于前述被蚀刻膜形成沟或孔的制程、和于前述蚀刻处理后，藉由于前述蚀刻遮罩施以灰化处理，从前述被处理体上除去前述蚀刻遮罩的制程于前述灰化处理后，于前述被蚀刻膜的露出部的前述沟或孔的侧面部施以矽烷基化处理的制程，前述矽烷基化处理工程系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之工程。如申请专利范围第11项所记载的方法，其中，前述蚀刻处理、前述灰化处理、及前述矽烷基化处理系于一个处理系统内，前述被处理体不曝露于大气而连续的进行。如申请专利范围第12项所记载的方法，其中，前述蚀刻处理及前述灰化处理系在1个处理室内进行。如申请专利范围第12项所记载的方法，其中，前述蚀刻处理、前述灰化处理、及前述矽烷基化处理系在1个处理室内进行。如申请专利范围第11项所记载的方法，其中，在前述灰化处理后且在前述矽烷基化处理前，更具备对前述被处理体施以洗净处理的制程。如申请专利范围第15项所记载的方法，其中，前述洗净处理系具备：为了除去前述蚀刻遮罩的残渣，对前述被处理体供给药液的制程。如申请专利范围第11项所记载的方法，其中，在前述灰化处理后且在前述矽烷基化处理前，更具备对前述被处理体供给水蒸气，于前述沟或孔的侧面部使水分吸附的制程。如申请专利范围第11项所记载的方法，其中，前述矽烷基化处理系具备：供给包含于分子内具有矽氮键结(Si-N键结)的化合物之矽烷基化剂于前述被处理体的制程。如申请专利范围第18项所记载的方法，其中，前述化合物系具备：TMDS(1,1,3,3-四甲基二矽氮烷)或TMSDMA(二甲基胺基三甲基矽氮烷)。如申请专利范围第19项所记载的方法，其中，前述灰化处理系具备：供给包含O2的灰化气体于前述被处理体的制程。一种半导体装置的制造方法，其特征为具备：在配设于被处理体上的被蚀刻膜上，形成具有特定的开口图形的蚀刻遮罩的制程、和通过前述蚀刻遮罩的前述开口图形而于前述被蚀刻膜施以蚀刻处理，于前述被蚀刻膜形成沟或孔的制程、和于前述蚀刻处理后，使用药液而于前述被处理体施以洗净处理的制程、和于前述洗净处理后，于前述被蚀刻膜的露出部的前述沟或孔的侧面部施以矽烷基化处理的制程，前述矽烷基化处理工程系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之工程。如申请专利范围第21项所记载的方法，其中，前述洗净处理及前述矽烷基化处理系在1个处理室内进行。一种半导体装置的制造方法，其特征为具备：于配设于被处理体上的蚀刻阻止(etching stopper)膜上形成层间绝缘膜的制程、和如到达前述蚀刻阻止膜的，于前述层间绝缘膜形成沟或孔的制程、和藉由通过前述层间绝缘膜的前述沟或孔而于前述蚀刻阻止膜施以蚀刻处理，除去位于前述沟或孔的底部的前述蚀刻阻止膜的部分的制程、和于前述蚀刻处理后，于前述层间绝缘膜的露出部的前述沟或孔的侧面部施以矽烷基化处理的制程，前述矽烷基化处理工程系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之工程。如申请专利范围第23项所记载的方法，其中，于前述层间绝缘膜形成前述沟或孔的制程系具备：于前述层间绝缘膜上形成具有特定的开口图形的蚀刻遮罩的制程、和藉由通过前述蚀刻遮罩的开口图形而于前述层间绝缘膜施以第1蚀刻处理，于前述层间绝缘膜形成沟或孔的制程、和于前述第1蚀刻处理后，由前述被处理体上除去前述蚀刻遮罩的制程；前述方法系在除去前述蚀刻遮罩的制程、与除去前述蚀刻阻止膜的部分的制程之间，更具备于前述层间绝缘膜的露出部的前述沟或孔的侧面部，施以第1矽烷基化处理。一种半导体装置的制造系统，其特征为具备：收容具有被蚀刻膜、与具有形成于其上的特定的开口图形的蚀刻遮罩的被处理体的第1处理室、和于前述第1处理室内，对于前述被蚀刻膜，藉由通过蚀刻遮罩的开口图形而施以蚀刻处理，于前述形成被蚀刻膜形成沟或孔的蚀刻机构、和收容于前述第1处理室内处理后的前述被处理体的第2处理室、和于前述第2处理室内，于前述被蚀刻膜的露出部的前述沟或孔的侧面部，施以矽烷基化处理的矽烷基化机构、和连接前述第1及第2处理室的真空搬送路径、和配设于前述真空搬送路径内，为了由前述第1处理室向第2处理室，搬送前述被处理体的搬送机构，前述矽烷基化处理机构系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之矽烷基化处理机构。一种半导体装置的制造系统，其特征为具备：收容具有被蚀刻膜、与具有形成于其上的特定的开口图形的蚀刻遮罩的被处理体的处理室、和于前述处理室内，对于前述被蚀刻膜，藉由通过蚀刻遮罩的开口图形而施以蚀刻处理，于前述形成被蚀刻膜形成沟或孔的蚀刻机构、和于前述处理室内，于前述被蚀刻膜的露出部的前述沟或孔的侧面部，施以矽烷基化处理的矽烷基化机构，前述矽烷基化处理机构系具备：为了使吸湿反应产生于前述被蚀刻膜的露出部之前述沟或前述孔的内面，而对前述矽烷基化室内供给水蒸气，使能够促进矽烷基化反应之矽烷基化处理机构。一种电脑可读取的媒体，系包含为了在处理器(processor)上执行的程式指令，其特征为：前述程式指令，系藉由处理器而执行时，如执行于申请专利范围1、6、11、21、23的任一项所记载的制造方法的，控制半导体装置的制造系统。 |
