| 主权项 |
一种显示装置，其包括一光感测器、一黑矩阵、相对设置之一第一基板、一第二基板及一控制电路，该光感测器与该黑矩阵设置于该第一基板与该第二基板之间，其中，该光感测器设置于该第一基板，该黑矩阵设置于该第二基板，该光感测器包括一第一感光元件与一第二感光元件及一补偿元件，该第一、第二感光元件与该补偿元件结构相同，其分别包括至少一非晶矽薄膜电晶体，该第一、第二感光元件之至少一非晶矽薄膜电晶体用于接收不同程度的光量，该补偿元件用于为该第一、第二感光元件提供对比参考值，该黑矩阵具有二开口，该二开口分别对应该第一、第二感光元件之用于感光之非晶矽薄膜电晶体设置，该补偿元件之非晶矽薄膜电晶体对应该黑矩阵设置并且不接受光照，该控制电路分别量测该第一、第二感光元件与该补偿元件的电流，根据该电流运算出该第一感光元件与该第二感光元件所感测之光量，并根据对应该第一感光元件与该第二感光元件所感测之光量，产生一控制讯号，对应环境光亮度调整背光。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中，该第一感光元件包括一第一非晶矽薄膜电晶体，该补偿元件包括一第二非晶矽薄膜电晶体，该第一、第二非晶矽薄膜电晶体之汲极分别连接一第一、一第二固定电压，闸极均连接一闸极电压，源极接地。如申请专利范围第2项所述之显示装置，其中，该第一非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第二非晶矽薄膜电晶体用于为该第一感光元件提供对比参考值，该第一、第二非晶矽薄膜电晶体之汲极电流分别用于量测。如申请专利范围第2项所述之显示装置，其中，该第一感光元件进一步包括复数与该第一非晶矽薄膜电晶体并联之非晶矽薄膜电晶体，该补偿元件进一步包括复数与该第二非晶矽薄膜电晶体并联之非晶矽薄膜电晶体，该复数与该第一非晶矽薄膜电晶体并联之非晶矽薄膜电晶体之汲极连接该第一固定电压，闸级均连接该闸极电压，源极接地，该复数与该第二非晶矽薄膜电晶体并联之非晶矽薄膜电晶体之汲极连接该第二固定电压，闸级均连接该闸极电压，源极接地。如申请专利范围第4项所述之显示装置，其中，该第一感光元件之所有非晶矽薄膜电晶体之汲极电流之和及该补偿元件之所有非晶矽薄膜电晶体之汲极电流之和分别用于量测。如申请专利范围第2项所述之显示装置，其中，该第二感光元件包括一第三非晶矽薄膜电晶体，第三非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第三非晶矽薄膜电晶体之汲极连接一第三固定电压，闸极连接该闸极电压，源极接地。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中，该第一、第三非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第二非晶矽薄膜电晶体用于为该第一、第二感光元件提供对比参考值，该第一、第二、第三非晶矽薄膜电晶体之汲极电流分别用于量测。如申请专利范围第2项所述之显示装置，其中，该第一感光元件进一步包括一第三非晶矽薄膜电晶体及一第一电阻，该补偿元件进一步包括一第四非晶矽薄膜电晶体及一第二电阻，该第一电阻串接于该第一非晶矽薄膜电晶体之源极与地之间，该第三非晶矽薄膜电晶体之汲极连接一第三固定电压，闸极连接于该第一非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地，该第二电阻串接于该第二非晶矽薄膜电晶体之源极与地之间，该第四非晶矽薄膜电晶体之汲极连接一第四固定电压，闸级连接于该第二非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地。如申请专利范围第8项所述之显示装置，其中，该第一非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第四非晶矽薄膜电晶体用于为该第一感光元件提供对比参考值，该第三非晶矽薄膜电晶体与该第四非晶矽薄膜电晶体之汲极电流分别用于量测。如申请专利范围第8项所述之显示装置，其中，该第二感光元件包括一第五、一第六非晶矽薄膜电晶体及一第三电阻，该第五、第六非晶矽薄膜电晶体之汲极分别连接一第五、一第六固定电压，该第五非晶矽薄膜电晶体之闸极连接于该闸极电压，源极连接于该第六非晶矽薄膜电晶体之闸极，并经由该第三电阻接地，该第六非晶矽薄膜电晶体之源极接地。如申请专利范围第10项所述之显示装置，其中，该第一、第五非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第四非晶矽薄膜电晶体用于为该第一、第二感光元件提供对比参考值，该第三、第四、第六非晶矽薄膜电晶体之汲极电流分别用于量测。如申请专利范围第2项所述之显示装置，其中，该第一感光元件进一步包括一第三、一第四非晶矽薄膜电晶体，该补偿元件进一步包括一第五、一第六非晶矽薄膜电晶体，该第三非晶矽薄膜电晶体串接于该第一非晶矽薄膜电晶体之源极与地之间，该第三非晶矽薄膜电晶体之汲极连接该第一非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地，该第四非晶矽薄膜电晶体之汲极连接一第三固定电压，闸极连接于该第一非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地，该第五非晶矽薄膜电晶体串接于该第二非晶矽薄膜电晶体之源极与地之间，该第五非晶矽薄膜电晶体之汲极连接该第二非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地，该第三非晶矽薄膜电晶体与该第五非晶矽薄膜电晶体之闸极均连接该闸极电压，该第六非晶矽薄膜电晶体之汲极连接一第四固定电压，闸极连接于该第二非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地。如申请专利范围第12项所述之显示装置，其中，该第一非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第六非晶矽薄膜电晶体用于为该第一感光元件提供对比参考值，该第四、第六非晶矽薄膜电晶体之汲极电流分别用于量测。如申请专利范围第12项所述之显示装置，其中，该第二感光元件包括一第七、一第八、一第九非晶矽薄膜电晶体，该第七、第九非晶矽薄膜电晶体之汲极分别连接一第五、一第六固定电压，该第七、第八非晶矽薄膜电晶体之闸极均连接于该闸极电压，该第七非晶矽薄膜电晶体经由该第八非晶矽薄膜电晶体之汲极、源极接地，该第九非晶矽薄膜电晶体之闸极连接于该第七非晶矽薄膜电晶体之源极，源极接地。如申请专利范围第14项所述之显示装置，其中，该第一、第七非晶矽薄膜电晶体用于感光，该第六非晶矽薄膜电晶体用于为该第一、第二感光元件提供对比参考值，该第四、第六、第九非晶矽薄膜电晶体之汲极电流分别用于量测。如申请专利范围第6、7、10、11、14、15项之任意一项所述之显示装置，其中，进一步包括一彩色滤光片，该彩色滤光片与该黑矩阵间隔设置于该第二基板，该光感测器之第二感光元件之用于感光之非晶矽薄膜电晶体对应该彩色滤光片设置，该光感测器之除用于感光之非晶矽薄膜电晶体之外之其他非晶矽薄膜电晶体均对应该黑矩阵设置。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中，该黑矩阵用于遮光，其开口用于为该感光元件提供光通路，该感光元件之用于感光之非晶矽薄膜电晶体接收从该开口进入之光线。如申请专利范围第16项所述之显示装置，其中，该彩色滤光片用于为该第二感光元件提供光通路。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中，该光感测器包括层叠设置于第一基板上之闸极层、绝缘层、非晶矽层、N型掺杂非晶矽层及源极和汲极半导体层。如申请专利范围第19项所述之显示装置，其中，该感光元件与该补偿元件之非晶矽薄膜电晶体结构相同，均系与该显示装置之像素阵列区域之薄膜电晶体一并蚀刻形成。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中，该显示装置系液晶显示装置。 |
