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一种微影模拟方法，其系用于半导体装置者，该方法包含：从一遮罩布局产生一遮罩透射函数之资料，该遮罩透射函数表示该遮罩布局之光穿透特性；使用该遮罩透射函数之上述资料，产生该遮罩布局之一光学影像，其系通过了一光学系统者，且该光学影像系源自该光学系统之强度分布；产生藉由对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理而获得之一经滤波函数之资料，其中对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理系包含将该遮罩透射函数与该预定函数滤波器进行相乘；及使用该经滤波函数之该资料来校正该光学影像。如请求项1之方法，其中使用该经滤波函数校正该光学影像包括将基于该经滤波函数之一值加至该光学影像。如请求项1之方法，其中使用该经滤波函数校正该光学影像包括：获得其中该光学影像与该经滤波函数相乘之一函数；以及将基于藉由乘法获得之该函数的一值加至该光学影像。如请求项1之方法，其中使用该经滤波函数校正该光学影像包括使用该经滤波函数之一多项式校正该光学影像。如请求项1之方法，其中使用该经滤波函数校正该光学影像包括使用一函数之一多项式校正该光学影像，在该函数中该光学影像与该经滤波函数相乘。如请求项1之方法，其中藉由使用一遮罩薄膜近似模型来获得该遮罩布局之该光学影像，上述近似模型中在一光罩上之该遮罩布局之图案的厚度系假定为0。如请求项1之方法，其中预先拟合该预定函数滤波器之一参数以反映一遮罩布局效应(mask topography effect)。如请求项1之方法，其中预先拟合该预定函数滤波器之一参数以反映一遮罩布局生产分散。如请求项1之方法，其中该预定函数滤波器包括一上部峰值保值滤波器(upper peak hold filter)，以使得在使用该上部峰值保值滤波器对一函数之曲线进行追迹时，若该函数之该曲线上之值大于先前之最大值，则该曲线上之该值成为一滤波器值，若该函数之该曲线上之值小于上述先前之最大值，则维持上述先前之最大值为该滤波器值。如请求项1之方法，其中该预定函数滤波器包括一高斯函数滤波器。一种光罩制造方法，其包含基于一微影模拟结果来生产一光罩，该微影模拟结果系藉由用于半导体装置之微影模拟方法而获得者，该微影模拟方法包含：从一遮罩布局产生一遮罩透射函数之资料，该遮罩透射函数表示该遮罩布局之光穿透特性；使用该遮罩透射函数之上述资料，产生该遮罩布局之一光学影像，其系通过了一光学系统者，且该光学影像系源自该光学系统之强度分布；产生藉由对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理而获得之一经滤波函数之资料，其中对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理系包含将该遮罩透射函数与该预定函数滤波器进行相乘；及使用该经滤波函数之该资料来校正该光学影像。一种半导体装置制造方法，其包含：准备基于一微影模拟结果之一光罩，该微影模拟结果系藉由用于半导体装置之微影模拟方法而获得者；及将在该光罩上形成之一图案转印至一半导体晶圆上的一光阻；且该微影模拟方法包含：从一遮罩布局产生一遮罩透射函数之资料，该遮罩透射函数表示该遮罩布局之光穿透特性；使用该遮罩透射函数之上述资料，产生该遮罩布局之一光学影像，其系通过了一光学系统者，且该光学影像系源自该光学系统之强度分布；产生藉由对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理而获得之一经滤波函数之资料，其中对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理系包含将该遮罩透射函数与该预定函数滤波器进行相乘；及使用该经滤波函数之该资料来校正该光学影像。一种电脑可读取媒体，其系组态成用以储存用于在一电脑上执行之程式指令，该等程式指令系用于对半导体装置之微影模拟，且使该电脑执行：从一遮罩布局产生一遮罩透射函数之资料，该遮罩透射函数表示该遮罩布局之光穿透特性；使用该遮罩透射函数之上述资料，产生该遮罩布局之一光学影像，其系通过了一光学系统者，且该光学影像系源自该光学系统之强度分布；产生藉由对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理而获得之一经滤波函数之资料，其中对一预定函数滤波器之资料及该遮罩透射函数之上述资料进行处理系包含将该遮罩透射函数与该预定函数滤波器进行相乘；及使用该经滤波函数之该资料来校正该光学影像。 |
