脉冲宽度调变装置和方法

主权项

一种脉冲宽度调变装置，用以驱动一直流降压电路，上述脉冲宽度调变装置包括：一开关装置，耦接至一供应电压源以及一接地电源，用以根据一脉冲宽度调变讯号切换而于一连接点产生一驱动讯号；以及一积体电路晶片，包括：一接脚，耦接于上述连接点，用以接收上述驱动讯号；一脉冲宽度调变器，用以输出上述脉冲宽度调变讯号；以及一电压侦测器，耦接于上述接脚，用以于上述脉冲宽度调变讯号开始之第一个或前几个一工作周期内侦测上述驱动讯号，并判断上述驱动讯号之一电压是否低于一既定电压，其中若上述电压低于上述既定电压位准，则上述脉冲宽度调变器停止输出上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第1项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述开关装置包括：一第一开关，耦接至上述供应电压源以及上述连接点；以及一第二开关，耦接至上述接地电源以及上述连接点，其中上述第一、第二开关根据上述脉冲宽度调变讯号而交替导通。如申请专利范围第1项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述电压侦测器更于上述脉冲宽度调变讯号开始之一下降边缘侦测上述驱动讯号之上述电压。如申请专利范围第3项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述第一、第二开关为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第4项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述积体电路晶片更包括：一缓冲器，耦接至上述第一开关，用以延迟上述脉冲宽度调变讯号；以及一反向器，耦接至上述第二开关，用以反向上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第3项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述第一开关为P型金氧半场效电晶体，以及上述第二开关为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第6项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述积体电路晶片更包括：一第一反向器，耦接至上述第一开关，用以反向上述脉冲宽度调变讯号；以及一第二反向器，耦接至上述第二开关，用以反向上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第1项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述电压侦测器更于上述脉冲宽度调变讯号开始之一上升边缘侦测上述驱动讯号之上述电压。如申请专利范围第8项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述第一开关为P型金氧半场效电晶体，以及上述第二开关为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第9项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述积体电路晶片更包括：一第一缓冲器，耦接至上述第一开关，用以延迟上述脉冲宽度调变讯号；以及一第二缓冲器，耦接至上述第二开关，用以延迟上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第8项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述第一、第二开关为N型金氧半场效电晶体。如申请专利范围第11项所述之脉冲宽度调变装置，其中上述积体电路晶片更包括：一反向器，耦接至上述第一开关，用以反向上述脉冲宽度调变讯号；以及一缓冲器，耦接至上述第二开关，用以延迟上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第1项所述之脉冲宽度调变装置，其中当上述驱动讯号低于上述既定电压位准时，则上述积体电路晶片停止输出上述脉冲宽度调变讯号一段既定时间后再重新输出上述脉冲宽度调变讯号。一种脉冲宽度调变方法，应用于一直流降压控制电路，包括：提供一脉冲宽度调变讯号；根据上述脉冲宽度调变讯号控制一开关装置之导通状态以产生一驱动讯号；在上述脉冲宽度调变讯号开始之第一个或前几个一工作周期内侦测上述驱动讯号之一电压；判断上述电压是否到达一既定电压；以及当上述电压低于上述既定电压时，停止产生上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第14项所述之脉冲宽度调变方法，其中侦测上述驱动讯号之上述电压更包括于上述脉冲宽度调变讯号开始之一下降边缘侦测上述驱动讯号之上述电压。如申请专利范围第14项所述之脉冲宽度调变方法，其中侦测上述驱动讯号之上述电压更包括于上述脉冲宽度调变讯号开始之一上升边缘侦测上述驱动讯号之上述电压。如申请专利范围第14项所述之脉冲宽度调变方法，其中停止产生上述脉冲宽度调变讯号更包括停止一段既定时间后重新产生上述脉冲宽度调变讯号。如申请专利范围第14项所述之脉冲宽度调变方法，更包括利用上述驱动讯号驱动一直流降压电路以产生一直流输出电压至一负载。如申请专利范围第18项所述之脉冲宽度调变方法，更包括根据上述直流输出电压而调整上述脉冲宽度调变讯号之第一个或前几个上述工作周期。