| 主权项 |
一种光源扩散模组，供与一光源模组配合使用，该光源扩散模组包含：一第一扩散层，具有一进光下表面及一出光上表面，其中该出光上表面具有并列设置之复数个第一微结构，部分该第一微结构具有一第一宽度及一第一高度；以及一第二扩散层，系设置于该第一扩散层之上方，并具有一下表面及一上表面，该下表面系对应该第一扩散层之该出光上表面，而该上表面则具有并列设置之复数个第二微结构，其中该第一微结构及该第二微结构系采同向设置，部分该第二微结构具有有一第二宽度及一第二高度，其中该第一高度实质上相异于该第二高度；其中该第一宽度与该第二宽度之比率系介于1.1至1.8之间。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一宽度系介于65微米(μm)与75微米之间。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第二宽度系介于48微米(μm)与52微米之间。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中部分该第一微结构具有与该第一宽度不同之一第三宽度，该第三宽度与该第二宽度之比率系介于1.1至1.8之间。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中部分该第二微结构具有与该第二宽度不同之一第四宽度，该第一宽度与该第四宽度之比率系介于1.1至1.8之间。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一高度与该第二高度之比率介于0.8至1.5之间。如申请专利范围第6项所述之光源扩散模组，其中该第一高度系介于22微米(μm)与26微米之间。如申请专利范围第6项所述之光源扩散模组，其中该第二高度系介于23微米(μm)与27微米之间。如申请专利范围第6项所述之光源扩散模组，其中部分该第一微结构具有与该第一高度不同之一第三高度，该第三高度与该第二高度之比率系介于0.8至1.5之间。如申请专利范围第6项所述之光源扩散模组，其中部分该第二微结构具有与该第二高度不同之一第四高度，该第一高度与该第四高度之比率系介于0.8至1.5之间。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，进一步包含一第三扩散层，该第三扩散层系设置于该第一扩散层与该第二扩散层之间，其中该第三扩散层之雾度值(Haze)系在80%以上。如申请专利范围第11项所述之光源扩散模组，其中该第三扩散层系由聚对苯二甲酸二乙酯(Polyester,PET)所制成。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一扩散层系包含设置于该光源模组上之一扩散板。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一扩散层系由聚环烯烃高分子(Cyclo Olefin Polymer,COP)所制成。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一微结构系以贴附方式形成于该第一扩散层上。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一微结构系以一光学薄膜制程形成于该第一扩散层上。如申请专利范围第16项所述之光源扩散模组，其中该光学薄膜制程包含一蚀刻制程。如申请专利范围第16项所述之光源扩散模组，其中该光学薄膜制程包含一微影制程。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一微结构系由聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)所制成。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第二扩散层系包含一光学膜片。如申请专利范围第20项所述之光源扩散模组，其中该光学膜片系由聚对苯二甲酸二乙酯(Polyester,PET)所制成。如申请专利范围第20项所述之光源扩散模组，其中该光学膜片系由聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)所制成。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第二微结构系以贴附方式形成于该第二扩散层上。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第二微结构系以一光学薄膜制程形成于该第二扩散层上。如申请专利范围第24项所述之光源扩散模组，其中该光学薄膜制程包含一蚀刻制程。如申请专利范围第24项所述之光源扩散模组，其中该光学薄膜制程包含一微影制程。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第二微结构系由聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)所制成。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第一微结构具有一三角形之剖面形状。如申请专利范围第1项所述之光源扩散模组，其中该第二微结构具有一三角形之剖面形状。一种背光模组，包含：一光源模组，具有一出光面；以及一光源扩散模组，系设置对应于该出光面，该光源扩散模组包含：一第一扩散层，具有一进光下表面及一出光上表面，该进光下表面系对应该光源模组之该出光面，其中该出光上表面具有并列设置之复数个第一微结构，每一第一微结构具有一第一宽度及一第一高度；以及一第二扩散层，系设置于该第一扩散层之上方，并具有一下表面及一上表面，该下表面系对应该第一扩散层之该出光上表面，而该上表面则具有并列设置之复数个第二微结构，其中该第一微结构及该第二微结构系采同向设置，每一第二微结构具有有一第二宽度及一第二高度，其中该第一高度实质上相异于该第二高度；其中该第一宽度与该第二宽度之比率系介于1.1至1.8之间。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一宽度系介于65微米(μm)与75微米之间。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第二宽度系介于48微米(μm)与52微米之间。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中部分该第一微结构具有与该第一宽度不同之一第三宽度，该第三宽度与该第二宽度之比率系介于1.1至1.8之间。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中部分该第二微结构具有与该第二宽度不同之一第四宽度，该第一宽度与该第四宽度之比率系介于1.1至1.8之间。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一高度与该第二高度之比率介于0.8至1.5之间。如申请专利范围第35项所述之背光模组，其中该第一高度系介于22微米(μm)与26微米之间。如申请专利范围第35项所述之背光模组，其中该第二高度系介于23微米(μm)与27微米之间。如申请专利范围第35项所述之背光模组，其中部分该第一微结构具有与该第一高度不同之一第三高度，该第三高度与该第二高度之比率系介于0.8至1.5之间。如申请专利范围第35项所述之背光模组，其中部分该第二微结构具有与该第二高度不同之一第四高度，该第一高度与该第四高度之比率系介于0.8至1.5之间。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该光源扩散模组进一步包含一第三扩散层，该第三扩散层系设置于该第一扩散层与该第二扩散层之间，其中该第三扩散层之雾度值(Haze)系在80%以上。如申请专利范围第40项所述之背光模组，其中该第三扩散层系由聚对苯二甲酸二乙酯(Polyester,PET)所制成。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一扩散层系包含设置于该光源模组上之一扩散板。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一扩散层系由聚环烯烃高分子(Cyclo Olefin Polymer,COP)所制成。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一微结构系以贴附方式形成于该第一扩散层上。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一微结构系以一光学薄膜制程形成于该第一扩散层上。如申请专利范围第45项所述之背光模组，其中该光学薄膜制程包含一蚀刻制程。如申请专利范围第45项所述之背光模组，其中该光学薄膜制程包含一微影制程。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一微结构系由聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)所制成。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第二扩散层系包含一光学膜片。如申请专利范围第49项所述之背光模组，其中该光学膜片系由聚对苯二甲酸二乙酯(Polyester,PET)所制成。如申请专利范围第49项所述之背光模组，其中该光学膜片系由聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)所制成。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第二微结构系以贴附方式形成于该第二扩散层上。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第二微结构系以一光学薄膜制程形成于该第二扩散层上。如申请专利范围第53项所述之背光模组，其中该光学薄膜制程包含一蚀刻制程。如申请专利范围第53项所述之背光模组，其中该光学薄膜制程包含一微影制程。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第二微结构系由聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)所制成。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第一微结构具有一三角形之剖面形状。如申请专利范围第30项所述之背光模组，其中该第二微结构具有一三角形之剖面形状。 |
