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一种化合物半导体磊晶基板，其特征为：在包含使得InGaAs层成为通道层并且使得含有n型杂质之AlGaAs层成为电子供应层之变形通道高电子迁移率场效型电晶体所使用之化合物半导体磊晶基板，在该InGaAs层之室温之电子迁移率，成为8300cm2/V．s以上，接合于前述变形通道层之上下而层积膜厚4nm以上之GaAs层，其中未掺杂GaAs层具有4nm或更大的厚度，各层分别叠层以和该变形通道层的顶表面和底表面接触；其中至少一个该未掺杂GaAs层进一步和未掺杂AlGaAs层接触；以及其中含有n型杂质的该AlGaAs层和该未掺杂AlGaAs层接触。如申请专利范围第1项所记载之化合物半导体磊晶基板，其中，构成前述变形通道层之InGaAs层之In组成系成为0.25以上0.4以下。一种申请专利范围第1或2项所记载之化合物半导体磊晶基板之制造方法，其特征为：包含：使用有机金属热分解法(MOCVD法)而对于各个化合物半导体之层，进行磊晶成长。如申请专利范围第3项所记载之方法，其中，作为变形通道层系对于InGaAs层进行磊晶成长而使得In组成成为0.25以上0.4以下，作为电子供应层系对于含有n型杂质之AlGaAs层进行磊晶成长，并且，接合于该变形通道层之上下，进行磊晶成长而使得GaAs层成为膜厚4nm以上。 |
