发明名称 Strombegrenzungsschaltung und Halbleiterspeichervorrichtung
摘要 Strombegrenzungsschaltung mit: einem Strombegrenzungselement zur Begrenzung eines Ausgangsstrompegels innerhalb eines vorbestimmten Bereichs eines Begrenzungsstroms und mit einem ersten PMOS-Transistor, an dessen Source eine vorbestimmte Spannung angelegt ist, und mit einem Drain, durch den der Ausgangsstrom gespeist wird; und einer Gate-Spannungserzeugungsschaltung zum Erzeugen einer Gate-Spannung durch eine Rückkopplungssteuerung, so dass die Der Gate-Spannung des ersten PMOS-Transistors mit einer Schwellwertspannung eines zweiten PMOS-Transistors übereinstimmt, der annähernd die gleiche Charakteristik wie der erste PMOS-Transistor hat, in einem Zustand, bei dem durch den zweiten PMOS-Transistor ein vorbestimmter Strom fließt.
申请公布号 DE102006031862(B4) 申请公布日期 2011.07.07
申请号 DE200610031862 申请日期 2006.07.10
申请人 ELPIDA MEMORY, INC. 发明人 TSUKADA, SHUICHI
分类号 G11C7/02;G05F1/10;G11C11/407;G11C29/24 主分类号 G11C7/02
代理机构 代理人
主权项
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